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本发明涉及IBC电池制造技术领域，具体为一种图形化薄膜的原位沉积机构及方法，原位沉积机构包括机械传输平台和反应腔室，所述机械传输平台用于带动硅片移动，所述反应腔室中包括第一反应气体进气口、第二反应气体进气口，所述第一反应气体进气口和所述第二...
该专利属于艾华（无锡）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾华（无锡）半导体科技有限公司授权不得商用。

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