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本申请公开了一种硅异质结太阳能电池背场结构。所述背场结构包括:p型硅基底,所述p型硅基底具有背场面;形成在所述背场面上的第一本征钝化层;形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层;以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层;所述吸附原子层包括沉...该专利属于君泰创新(北京)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过君泰创新(北京)科技有限公司授权不得商用。
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