一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池制造技术

本发明专利技术公开了一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括n型单晶硅片，n型单晶硅片的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极；所述n型单晶硅片的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明专利技术通过以氢化非晶氮氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池
本专利技术涉及一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池，属于硅太阳电池

技术介绍
n型晶硅太阳电池技术近年来受到越来越多地关注，主要有钝化发射极背表面全扩散电池(n-PERT)、隧道氧化物钝化接触电池(TOPCon)和异质结电池(HJT)。这其中日本三洋公司开发的带本征薄层的异质结太阳电池，是在n型单晶硅衬底和掺杂的非晶硅薄膜发射极之间插入一层本征氢化非晶硅薄膜层(i-a-Si:H)来钝化异质结的界面，从而提高了电池的效率，并且已经实现了产业化。异质结电池具有结构对称可制成双面电池、工艺简单、转换效率高等特点，因此异质结太阳电池是很有潜力取代现有晶硅太阳电池结构，成为太阳电池器件主流产品的技术之一。异质结电池对其性能影响非常重要的是其钝化层的性能。虽然本征非晶硅薄膜层能较好地钝化界面，但是研究也发现本征非晶硅薄膜层存在光吸收、制备工艺条件严苛等缺点，因此技术人员一直在寻找更合适的材料作为钝化层应用于异质结电池。氧化硅(SiO2)具有非常优异的表面钝化性能，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括n型单晶硅片(1)，n型单晶硅片(1)的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层(4)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极；所述n型单晶硅片(1)的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层(5)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括n型单晶硅片(1)，n型单晶硅片(1)的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层(4)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极；所述n型单晶硅片(1)的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层(5)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。


2.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述n型单晶硅片(1)采用晶向为(100)的n型Cz单晶硅，其厚度为100～180μm，电阻率为0.5～3.0Ω·cm。


3.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜层以硅烷作为硅源，一氧化二氮为氮源和氧源，通过等离子增强化学气相沉积方法制备。


4.如权利要求3所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述氢化非晶氮氧化硅薄膜层的制备方法为：n型单晶硅片(1)预处理后，放入等离子增强化学气相沉积设备，然后抽真空至真空度达到5×10-4Pa，以H2和SiH4为反应气体，一氧化二氮为氮源和氧源，在n型单晶硅片(1)的温度150～300℃、沉积气压10～300Pa条件下，在n型单晶硅片(1)的正...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，李正平，刘超，任栋樑，徐小娜，周国平，陈昌明，
申请(专利权)人：熵熠上海能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31