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本发明公开了一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括n型单晶硅片，n型单晶硅片的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极；所述n型单晶硅片的背表面依次形成氢化...
该专利属于熵熠(上海)能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过熵熠(上海)能源科技有限公司授权不得商用。

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