一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池制造技术

本发明专利技术公开了一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明专利技术通过以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池
本专利技术涉及一种以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为本征钝化层的异质结太阳电池，属于硅太阳电池

技术介绍
近年来光伏产业界越来越多地关注n型晶硅太阳电池技术，这是因为n型硅具有体寿命长、对金属杂质的容忍度高、没有p型硅材料中由于硼氧复合体所造成的光致衰减效应等优势。在n型硅太阳电池技术中，日本三洋公司开发的带本征薄层的异质结太阳电池，是在n型单晶硅衬底和掺杂的非晶硅发射极之间插入一层本征氢化非晶硅薄膜层(i-a-Si:H)来钝化异质结的界面，从而提高了电池的效率。虽然本征非晶硅薄膜层能较好地钝化界面，但是研究也发现本征非晶硅薄膜层存在光吸收、制备工艺条件严苛等缺点，因此研究开发人员一直在寻找更合适的材料作为钝化层应用于异质结电池。氧化硅(SiO2)具有非常优异的表面钝化性能，可有效降低界面态密度，但是氧化硅的禁带宽带比非晶硅更宽，因此氧化硅用作钝化层时必须很薄(约1～2nm)，才能使得电子和空穴通过隧穿的方式输运而不受影响。而如此薄的氧化硅并不能很好地钝化界面，还需与其他钝化材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片(1)的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层(3)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片(1)的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层(7)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片(1)的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层(3)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片(1)的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层(7)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。


2.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述n型单晶硅片(1)采用晶相为(100)的n型Cz单晶硅，其厚度为100～180μm，电阻率为0.5～3.0Ω·cm。


3.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层是通过等离子增强化学气相沉积或热丝化学气相沉积制备在n单晶硅片(1)的正表面/背表面，其厚度为2～10nm。


4.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜的化学式表示为a-SiOx:H，非化学计量比x的变化范围是0～0.5。


5.如权利要求4所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜通过改变非化学计量比x...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正平，刘超，杨杰，任栋樑，陈昌明，徐小娜，周国平，
申请(专利权)人：熵熠上海能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31