一种光电探测器制造技术

本实用新型专利技术涉及光电探测技术领域，公开了一种光电探测器，包括外壳和由下而上依次层叠设在外壳内部的透明基层、InP衬底、InP缓冲层、GaAs衬底、ITO层、光敏层衬底和光敏层，所述光敏层的外围蒸镀有Au层并预留出出光孔，所述Au层外部蒸镀有保护层，所述透明基层采用的材料为InP，所述光敏层衬底为InGaAs，所述保护层采用SiO

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器
本技术涉及光电探测
，尤其涉及一种光电探测器。
技术介绍
光电探测器能把光信号转换为电信号，光电探测器的工作原理是基于光电效应，热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高，从而改变了它的电学性能，以此将光信号转换为电信号用于光信号的数据采集。目前市场上已有的光电探测器按照工作原理和结构，通常分为光电探测器和热电探测器，其中光电探测器包括真空光电器件(光电倍增管等)和固体光电探测器、光电二极管、光导探测器、CCD等，目前市场上已有的光电探测器均为通过光敏层进行对光线的采集吸收，为了采集到更多的光线和更容易吸收光线，市场上的光电探测器多为直接将光敏层直接暴露在光电探测器的外壳上，极容易出现但在特殊的场合光电探测器的光敏层被损坏或者阻挡，从而影响光电探测器的数据采集效果。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的是提供一种光电探测器，本技术通过在光敏层外侧增加保护层和在保护层上设有的减反层，来保证光敏层的避免轻易被损伤，同时保证光敏层能顺利采集到光线，同时，将外壳与保护层通过螺纹连接，在出现简单的灰尘堵塞或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于：包括外壳和由下而上依次层叠设在外壳(13)内部的Si衬底(10)、透明基层(9)、InP衬底(8)、InP缓冲层(7)、GaAs衬底(6)、ITO层(5)、光敏层衬底(4)和光敏层(3)，所述光敏层(3)的外围蒸镀有Au层(2)并预留出出光孔(12)，所述Au层(2)外部设有保护层(1)。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于：包括外壳和由下而上依次层叠设在外壳(13)内部的Si衬底(10)、透明基层(9)、InP衬底(8)、InP缓冲层(7)、GaAs衬底(6)、ITO层(5)、光敏层衬底(4)和光敏层(3)，所述光敏层(3)的外围蒸镀有Au层(2)并预留出出光孔(12)，所述Au层(2)外部设有保护层(1)。


2.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述透明基层(9)采用的材料为InP，所述光敏层衬底(4)为InGaAs，所述保护层(1)采用SiO2。


3.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述GaAs衬底(6)在ITO层(5)进行生...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎祥，黎垚，
申请(专利权)人：武汉奥博奥科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42