一种n型电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种n型电池，电池正面的发射结是由p型轻掺杂区和高度高于轻掺杂区的局部p型重掺杂区组成的选择性发射结，电池背面掺杂层以及电池钝化层和金属电极兼容其它n型电池的背面技术。采用这种正面选择性发射结，能够有效降低n型电池正面的金属半导体欧姆接触电阻以及光生载流子在电池正面的复合损失，进而提升电池性能，并且可对选择性发射结重掺杂区和轻掺杂区的表面形貌单独控制，以便于对电池不同金属化方案的选择。

【技术实现步骤摘要】
一种n型电池及其制备方法
本专利技术涉及晶体硅太阳电池制备
，具体涉及一种n型电池及其制备方法。
技术介绍
近年来晶硅太阳电池技术更新迭代迅速，n型电池由于其少子扩散长度大、低衰减、热稳定性强、对金属污染容忍度高等优势成为新型高效电池的主要使用方案。常见的n型电池主要有钝化发射结全背场扩散（PERT）电池、钝化发射结背面局部扩散（PERL）、隧穿氧化钝化接触（TOPCon）电池，且这些电池都着重于电池结构的背面设计从而提升电池性能。对n型电池的正面结构设计进而提升电池性能，主要是体现在通过采用选择性硼发射结技术来同时降低非金属接触区和金属接触区域的复合损失。但是一直以来n型电池的选择性发射结难以实现，主要有以下原因：1）硼元素在氧化硅中的固溶度高于在硅中的固溶度，硼扩散加激光掺杂的方法会使激光热处理区域硼表面浓度降低；2）离子注入的方法由于设备成本投入较大，限制了其进一步的工业化应用；3）硼掺杂剂加激光掺杂的方法需要高功率的激光，造成晶体损伤；4）硼掺杂剂加高温退火的方法会引起硼元素从硼掺杂剂中挥发，从而在硅片其他区域形成不均匀的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n型电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n选取一种(100)晶向n型单晶硅片，对所述n型硅片进行表面结构化处理，以在硅片表面形成特定形貌；/n在结构化处理后的n型硅片正面局部覆盖硼掺杂剂，并对所述n型硅片进行高温推进，以在其正面形成局部p型重掺杂区，所述局部p型重掺杂区中硼元素的表面浓度为7E19-1E22cm

【技术特征摘要】
1.一种n型电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
选取一种(100)晶向n型单晶硅片，对所述n型硅片进行表面结构化处理，以在硅片表面形成特定形貌；
在结构化处理后的n型硅片正面局部覆盖硼掺杂剂，并对所述n型硅片进行高温推进，以在其正面形成局部p型重掺杂区，所述局部p型重掺杂区中硼元素的表面浓度为7E19-1E22cm-3；
去除高温推进过程中n型硅片表面形成的硼硅玻璃，然后对所述n型硅片进行碱制绒，刻蚀掉高温推进过程中未覆盖硼掺杂剂的晶硅区域因硼掺杂剂中的硼元素挥发而形成的轻扩散层，并在所述晶硅区域表面形成绒面结构，在此过程中，所述局部p型重掺杂区仍保留原有的表面形貌；
对碱制绒后的n型硅片的正面进行硼的轻掺杂，以形成p型轻掺杂区，所述p型轻掺杂区硼的表面浓度低于局部p型重掺杂区硼的表面浓度，高度低于局部p型重掺杂区的高度；
在所述n型硅片背面制作n型掺杂层，所述n型掺杂层为全面积的磷掺杂背场结构、局部磷掺杂背场结构、钝化接触结构中的任意一种；
在所述n型硅片正面制作钝化减反射层，在背面制作钝化层；
在所述n型硅片正面和背面制作金属电极，所述正面金属电极与局部p型重掺杂区相对应。


2.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，采用丝网印刷或打印的方式在结构化处理后的n型硅片正面局部覆盖硼掺杂剂；所述硼掺杂剂包括但不限于含硼浆料、硼墨和掺硼硅粉。


3.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，所述碱制绒的条件为：碱制绒液采用浓度为2-5%的氢氧化钾或氢氧化钠溶液，碱制绒液温度为50-80℃，制绒时间为5-10min。


4.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，碱制绒结束后，所述局部p型重掺杂区的高度高于绒面结构的p型轻掺杂区0.5-2um。


5.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，所述局部p型重掺杂区的结深深于所述p型轻掺杂区。


6.如权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：符黎明，黄海冰，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32