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本发明提供了一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为衬底，在衬底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、氧化铝钝化层、背面透明导电氧化物层和背面金属电极；在衬底硅片的正面由内至外依次为正面本征...
该专利属于熵熠(上海)能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过熵熠(上海)能源科技有限公司授权不得商用。

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