氮掺杂P型二氧化锡薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮掺杂P型二氧化锡薄膜及其制备方法。薄膜为二氧化锡薄膜中掺杂有百分含量为1～30％的氮元素，其1s电子结合能为394.5～398.5电子伏特，薄膜的导电类型为p型，其电阻率为0.14～12Ω·cm、空穴迁移率为0.62～3.6cm2/Vs、载流子浓度为1017～1019/cm3；方法为先将锡金属靶和基底分别置于磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中，其中，锡金属靶与基底间的距离为8～12cm，再待真空室的真空度≤5.0×10-4Pa后，使真空室处于氮氩混合气氛下，溅射30～60min，得到氮化锡薄膜，接着，将氮化锡薄膜置于空气或氩氧混合气氛中，于350～600℃下退火60～120min，制得目标产物。它具有p型导电和光透过性能，可广泛应用于光电子器件、太阳能电池和透明导电电极以及气敏传感器件等领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮掺杂P型二氧化锡薄膜，包括二氧化锡薄膜，其特征在于：所述二氧化锡薄膜中掺杂有氮元素，所述掺杂有氮元素的二氧化锡薄膜中氮元素的百分含量为1～30％，其1s电子结合能为394.5～398.5电子伏特；所述掺杂有氮元素的二氧化锡薄膜的导电类型为p型，其电阻率为0.14～12Ω·cm、空穴迁移率为0.62～3.6cm2/Vs、载流子浓度为1017～1019/cm3。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘书生，张云霞，罗媛媛，田雅慧，李广海，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：