4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明专利技术获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明专利技术制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种4H?SiC基半导体中子探测器用的6LiF/?BC4复合转换膜制备方法，其特征在于主要包含以下步骤：a、将作为衬底材料的单晶4H?SiC基体分别浸没于丙酮、无水乙醇中进行超声波清洗，充分清洗后取出干燥待用；?b、将步骤a清洗后的单晶4H?SiC基体和作为磁控靶的6LiF靶材?和BC4靶材分别置入反应磁控溅射镀膜真空炉内，采用偏压反溅射清洗去除单晶4H?SiC基体表面杂质，采用预溅射清洗去除6LiF靶材?和BC4靶材表面的杂质，偏压反溅射清洗和预溅射清洗起辉气体均为氩气，所述氩气的流量为150~200?Sccm，偏压反溅射清洗和预溅射清洗操作真空度为绝对压强1.0~3.0?Pa；c、在反应磁...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，蒋勇，张彦坡，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：