晶体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶体装置及晶体装置的制造方法，在从基底板的中心算起的相等的距离处形成城堡形结构。晶体装置的制造方法包括：耐蚀膜形成工序，形成耐蚀膜；曝光工序，在耐蚀膜上形成光致抗蚀剂并进行曝光；耐蚀膜蚀刻工序，对耐蚀膜进行蚀刻；及湿式蚀刻工序，对贯穿孔进行湿式蚀刻。贯穿孔的+X轴侧的剖面具有：第1面侧的第1斜面、第2面侧的第2斜面、及第1斜面与第2斜面交叉的第1顶部。-X轴侧的剖面具有：第1面侧的第3斜面、第2面侧的第4斜面、及连结第3斜面与第4斜面的第2顶部，在曝光工序中，以从基底板的X轴方向的中心直至第1顶部为止及直至第2顶部为止的距离相同的方式，来对第1面及第2面进行曝光。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶体装置的制造方法，使用多个矩形状的基底板与沿所述基底板的X轴方向形成有至少1对贯穿孔的AT切割的基底晶片，来制造具有晶体振动片及所述基底板的晶体装置，所述晶体装置的制造方法的特征在于包括：耐蚀膜形成工序，在所述基底晶片的第1面与所述第1面的相反侧的第2面上形成耐蚀膜；曝光工序，于所述耐蚀膜上形成光致抗蚀剂，对与所述贯穿孔对应的位置的所述第1面及所述第2面的所述光致抗蚀剂进行曝光；耐蚀膜蚀刻工序，对所述第1面及所述第2面的与所述贯穿孔对应的所述耐蚀膜进行蚀刻；以及湿式蚀刻工序，在所述耐蚀膜蚀刻工序后，从所述第1面及第2面对所述一对贯穿孔进行湿式蚀刻，通过所述湿式蚀刻而形成的、连结所述第1面与所述第2面的所述贯穿孔的+X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第1斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第2斜面、以及所述第1斜面与所述第2斜面交叉的第1顶部，?X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第3斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第4斜面、以及连结所述第3斜面与所述第4斜面的第2顶部，所述曝光工序中，以从所述基底板的X轴方向的中心直至所述第1顶部为止的距离、与从所述基底板的X轴方向的中心直至所述第2顶部为止的距离相同的方式，来对与所述贯穿孔对应的位置的所述第1面及所述第2面进行曝光。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：水泽周一，高桥岳宽，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：