半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法，能够使屏蔽层与基板GND简便地导通，谋求屏蔽效果的提高及制造成本的降低。半导体装置的制造方法包括：在基板（10）上搭载多个半导体芯片（20），并且沿着包含切割线的芯片周边部形成上表面的高度比基板表面高的导电体（30）的工序；以树脂层（40）覆盖各半导体芯片（20）及导电体（30）的工序；对树脂层（40）沿着切割线进行半切削，并且使导电体（30）的上表面露出的工序；以导电材料覆盖通过半切削而露出的导电体（30）及树脂层（40）的工序；和以切割线对所述基板（10）、所述导电体（30）及所述导电材料（40）进行切削，切出为各个装置的工序。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片，其搭载于基板上；导电体，其沿着所述基板的周边部的至少一部分设置于该基板上；树脂层，其以不覆盖所述导电体的上表面的至少一部分而覆盖所述基板的上部及所述半导体芯片的方式设置；以及屏蔽层，其以覆盖所述树脂层的方式设置，且直接连接于所述导电体的上表面；所述导电体以包围所述半导体芯片的周边的方式设置；所述导电体的高度设定为比所述基板上的所述半导体芯片以外的部分高。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤田努，高野勇佑，川户雅敏，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：