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汞离子的光电化学测定制造技术

技术编号:9169657 阅读:220 留言:0更新日期:2013-09-19 18:02
本发明专利技术提供汞离子的光电化学测定。水溶性ZnX(X代表硫、硒)量子点可以修饰到ITO电极表面,在一定缓冲条件和一定浓度电子供体的存在下,光照后可以产生光电流但电流值较小,然后当加入Hg2+之后,光电流强度升高,从而使Hg2+得到测定。与最常用的通过分光光度法、原子吸收或原子发射光谱法测定汞离子相比,本发明专利技术使用的仪器设备比较简单和廉价,并且能够提高汞离子测定的选择性,常见的共存离子Ag+、Cu2+、Pb2+等在较高浓度时也不干扰测定。据我们所知,基于量子点纳米材料的光电化学方法还没有应用于汞离子的测定中。本发明专利技术能够对Hg2+实现高灵敏和高选择性测定,线性范围为1.0×10-8mol/L到1.0×10-5mol/L,检测限为4.6×10-9mol/L。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
汞离子的光电化学测定,其特征在于:a、一定量的表面修饰剂与0.02mol/L的水溶性锌盐溶液混合后,用1mol/L的NaOH溶液调节溶液的pH为中性;然后通入高纯氮气30min后,加入0.1mol/L的Na2S(或者NaHSe)水溶液,继续通N2搅拌,在一定温度下加热反应一定时间,得水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料;b、将经过预处理的ITO玻璃片浸在含有NaCl的2%PDDA聚合物的溶液中,几分钟后用去离子水冲洗电极表面;然后再浸入到水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料中,几分钟后用去离子水清洗电极表面。以上步骤即完成对ITO电极的修饰。所制得的电极可储存在室温下;c、由一定浓度的电子供体和一定pH的磷酸缓冲溶液组成电解质溶液,以制得的ZnX(X代表硫、硒)修饰的电极作为工作电极,加入待测的Hg2+溶液后,一定电位下,在自制的光电化学仪器上进行光电流的测定。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王光丽刘康丽徐秀芳董玉明
申请(专利权)人:江南大学
类型:发明
国别省市:

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