【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于分析化学和光电化学传感
,具体地说,涉及一种基于光电化学DNA生物传感器的铅离子测定方法。
技术介绍
重金属是环境体系中一类重要的污染物,具有难降解、毒性强、生物累积性等特点,对生态系统及人类健康具有严重的危害,因此对重金属离子的快速、简单、灵敏检测具有重要意义。传统的重金属离子分析方法主要是采用原子荧光、原子发射光谱法、ICP-AES/MS等,这些方法具有操作复杂、仪器设备昂贵、检测费用高、难于实现在线分析等缺点。随着生物传感技术的发展,应用生物传感法对有毒重金属离子的检测已成为研究热点之一。与酶、微生物、免疫生物传感法相比,DNA生物传感法具有识别层稳定,特异性识别目标小分子,受环境干扰和限制少,且易于合成或再生以供重复利用等优点,诸多优势使电化学DNA传感器作为一种新型的检测技术用于环境监测领域。铅离子作为“优先管理有害物质名单”上的重要金属离子,易对人体及环境产生毒害影响而备受人们关注。如今发展迅速的电化学、光电化学和光学传感技术,如基于荧光探针、金纳米粒子、DNA酶、半导体量子点和碳纳米管等生物传感方法,因具有操作简单、响应快速、分析成本低等优点,逐渐被广泛应用于Pb2+的检测。Li等在研究中发现,Pb2+可以和富含G碱基的DNA链发生作用生成Pb2+-DNA四联体结构,从而造成双链DNA的解链,在此基础上以锌卟啉为荧光探针,设计了荧光传感器,基于Pb2+引起 ...
【技术保护点】
基于光电化学DNA生物传感器的铅离子测定方法,其特征在于,包括以下步骤:1)ITO电极的制备:将ITO玻璃电极依次用洗涤剂、丙酮、异丙醇清洗,最后用超纯水清洗并于烘箱中烘干;将浓度1~20%的SnO2纳米溶胶旋涂到ITO导电玻璃表面,待自然风干后,于50~450℃马弗炉中煅烧0.5~5h,自然冷却后切割成0.5cm×3cm玻璃片,得到修饰有SnO2的ITO电极备用;2)DNA溶液的配制:将固体DNA样品用Tris‑HClO4缓冲液溶解,置于60‑95℃水浴锅中5~10min,然后自然冷却至室温,备用;3)DNA修饰ITO电极的制备:将0.1~5mg/ml的PDDA溶液涂于步骤1)制备的修饰有SnO2的ITO电极表面,在湿度恒定条件下孵育1~12h,然后用超纯水清洗,氮气吹干;将步骤2)配制的DNA溶液用Tris‑HClO4缓冲液稀释至2μM,取适量涂于上述处理电极表面,在湿度恒定条件下孵育2~8h,用超纯水清洗、氮气吹干,得到DNA修饰ITO电极,备用;4)Pb2+的光电化学检测:将1~50μM Ru(bpy)2(dppz)2+探针溶液滴于步骤3)制备的DNA修饰ITO电极表面,孵育0 ...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.基于光电化学DNA生物传感器的铅离子测定方法,其特征在
于,包括以下步骤:
1)ITO电极的制备:
将ITO玻璃电极依次用洗涤剂、丙酮、异丙醇清洗,最后用超纯
水清洗并于烘箱中烘干;将浓度1~20%的SnO2纳米溶胶旋涂到ITO导
电玻璃表面,待自然风干后,于50~450℃马弗炉中煅烧0.5~5h,自然
冷却后切割成0.5cm×3cm玻璃片,得到修饰有SnO2的ITO电极备用;
2)DNA溶液的配制:
将固体DNA样品用Tris-HClO4缓冲液溶解,置于60-95℃水浴锅中
5~10min,然后自然冷却至室温,备用;
3)DNA修饰ITO电极的制备:
将0.1~5mg/ml的PDDA溶液涂于步骤1)制备的修饰有SnO2的ITO
电极表面,在湿度恒定条件下孵育1~12h,然后用超纯水清洗,氮气
吹干;将步骤2)配制的DNA溶液用Tris-HClO4缓冲液稀释至2μM,取
适量涂于上述处理电极表面,在湿度恒定条件下孵育2~8h,用超纯水
清洗、氮气吹干,得到DNA修饰ITO电极,备用;
4)Pb2+的光电化学检测:
将1~50μMRu(bpy)2(dppz)2+探针溶液滴于步骤3)制备的DNA修
饰ITO电极表面,孵育0.5~6h,然后用超纯水清洗,氮气吹干;然后
将上述处理的DNA修饰ITO电极作为工作电极,置于5-50mM草酸缓
冲液的光电化学测定池中,以Ag/AgCl为参比电极,铂电极为对电极,
形成三电极测定体系,连接电化学工作站,在473nm蓝色光照射下,
进行循环伏安扫描,测定光电流强度;将不同浓度的Pb2+溶液滴于上
述处理的DNA修饰ITO电极表面,孵育0.5~6h,进行循环伏安扫描,
测定光电流强度,实现对Pb2+的测定。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)所述DNA
\t的核苷酸序列如SEQIDNO:1所示。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,步骤1)马弗炉
中煅烧温度为150~450℃。
技术研发人员:梁刚,贾文珅,满燕,靳欣欣,潘立刚,
申请(专利权)人:北京农业质量标准与检测技术研究中心,
类型:发明
国别省市:北京;11
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