偏光片离子含量测试方法及QLED显示器技术

技术编号:15300113 阅读:200 留言:0更新日期:2017-05-12 02:34
本发明专利技术提供一种偏光片离子含量测试方法,按照一定比例将所述偏光片样品放入超纯水中;加热超纯水到第一温度并持续第一时间以得到第一次离子溶液;加入与第一次超纯水容量相同的超纯水至第一次离子溶液内;加热所述加入超纯水的离子溶液到第二温度并持续第二时间以得到样品离子溶液;建立离子标准物质曲线并确定标准浓度关系式;通过离子色谱仪得到所述样品离子溶液的待测离子的响应值曲线;将所述样品离子溶液得到待测离子的响应值带入标准浓度关系式以得到偏光片样品的实际离子浓度。

Polarizing plate ion content testing method and QLED display

The present invention provides a polarizer ion content test method, according to a certain proportion of the polarizer sample in ultra pure water; heating the ultrapure water to the first temperature for the first time to get the first ion solution; adding ultra pure water to the first time the same ion solution and the first ultrapure water in the heating capacity; adding ultra pure water ion solution to second temperature and lasted for second hours to get the sample ions; establish standard curve and determine the relationship between ionic substance concentration by ion chromatography standard; to be measured response curves of the sample ion ion solution; the sample solution to be measured ion ion response values into the relationship standard type to get the actual concentration of Polaroid samples.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶面板制造
,尤其涉及一种偏光片离子含量测试方法。
技术介绍
TFT-LCD(Thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay:薄膜晶体管-液晶显示器)是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT的显示器件,它的性能优良、大规模生产特性好,自动化程度高,发展空间广阔,迅速成为目前的主流产品。由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光阵列基板和夹在两基板间的液晶构成Cell液晶面板。阵列基板与彩膜基板是经由化学或物理的方法成膜,然后曝光,显影,蚀刻得到设计所需的阵列基板。彩膜基板和阵列基板上的偏光片质量是影响液晶面板可靠性因素之一。经确认偏光片中的离子含量高低对于面板的质量有着密切关系,而目前并无偏光片中离子含量相关的标准测试方法,目前整个面板行业还无法进行该方面的测试。
技术实现思路
本专利技术提供一种偏光片离子含量测试方法,可以实现偏光片中离子含量的标准测试。一种偏光片离子含量测试方法,包括提供一包括偏振层及位于偏振层相对表面的偏光膜的偏光片样品;按照一定比例将所述偏光片样品放入超纯水中;加热超纯水到第一温度并持续第一时间以得到第一次离子溶液,并将所述偏光片样品的偏振层与完全偏光膜脱离;加入与第一次超纯水容量相同的超纯水至第一次离子溶液内;加热所述加入超纯水的离子溶液到第二温度并持续第二时间以得到样品离子溶液;建立离子标准物质曲线并确定标准浓度关系式;通过离子色谱仪得到所述样品离子溶液的待测离子的响应值曲线;将所述样品离子溶液得到待测离子的响应值带入标准浓度关系式以得到偏光片样品的实际离子浓度。其中,所述偏光片样品为正方形。其中,所述偏光片样品重量为2g,所述偏光片样品第一次放入的超纯水为10ml。其中,所述第一温度为100度,所述第一时间为10分钟。其中,所述第二温度为60度,所述第二时间为20分钟。其中,超纯水的容器为可密封。其中,所述步骤将所述偏光片样品的偏振层与完全偏光膜脱离包括在无污染性离子条件下人工辅助脱离。其中,步骤通过离子色谱仪得到所述样品离子溶液的待测离子的响应值曲线包括:分别测试超纯水样品及所述样品离子溶液。本专利技术所述的偏光片离子含量测试方法可以在液晶面板使用偏光片之前对样品进行检测,保证离子含量符合偏光要求高低,进而提高液晶面板的品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术所述的偏光片离子含量测试方法流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1,本专利技术提供一种偏光片离子含量测试方法,包括:步骤S1,提供一包括偏振层及位于偏振层相对表面的偏光膜的偏光片样品。本实施例中所述偏光片样品为正方形,具体为1cm*1cm的片体。此偏光片样品不包括保护膜及离型膜。步骤S2,按照一定比例将所述偏光片样品放入超纯水中;本实施例中,其中超纯水的容器可密封。所述偏光片样品重量为2g,本实施例使用万分之一天平。所述偏光片样品第一次放入的超纯水为10ml。步骤S3,加热超纯水到第一温度并持续第一时间以得到第一次离子溶液,并将所述偏光片样品的偏振层与完全偏光膜脱离。本实施例中,所述第一温度为100度,所述第一时间为10分钟。本步骤中偏光片样品可能分离的不彻底,需要人工用镊子在无污染性离子条件下人工辅助脱离。步骤S4,加入与第一次超纯水容量相同的超纯水至第一次离子溶液内;本实施例中再次加入的超纯水为10ml。步骤S5,加热所述加入超纯水的离子溶液到第二温度并持续第二时间以得到样品离子溶液;本实施例中,所述第二温度为60度,所述第二时间为20分钟。步骤S6,建立离子标准物质曲线并确定标准浓度关系式;本实施例通过离子色谱仪测量与样品离子溶液的离子相同的具有标准的浓度的离子进行普图。本实施例中,标准方程式为y=kx+b。其中,y为响应值,k为标准物质曲线的斜率,x为离子浓度值,b为标准物质曲线的的截距,k与b为常量。本实施例中以硫酸根为例进行测量说明。步骤S7,通过离子色谱仪得到所述样品离子溶液的待测离子的响应值曲线;也就是可以获取y值。本步骤中包括分别测试空白样品及所述样品离子溶液,其中测试空白样品是为了去除仪器残留离子及杂质。步骤S8,将所述样品离子溶液得到待测离子的响应值带入标准浓度关系式以得到偏光片样品的实际离子浓度。本专利技术所述的偏光片离子含量测试方法可以在出厂时批量测试偏光片的离子含量,在液晶面板使用时选择适应的偏光片,保证离子含量符合偏光要求,进而提高液晶面板的品质。以上所揭露的仅为本专利技术一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本专利技术之权利范围,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本专利技术权利要求所作的等同变化,仍属于专利技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/52/201611181529.html" title="偏光片离子含量测试方法及QLED显示器原文来自X技术">偏光片离子含量测试方法及QLED显示器</a>

【技术保护点】
一种偏光片离子含量测试方法,其特征在于,包括提供一包括偏振层及位于偏振层相对表面的偏光膜的偏光片样品;按照一定比例将所述偏光片样品放入超纯水中;加热超纯水到第一温度并持续第一时间以得到第一次离子溶液,并将所述偏光片样品的偏振层与完全偏光膜脱离;加入与第一次超纯水容量相同的超纯水至第一次离子溶液内;加热所述加入超纯水的离子溶液到第二温度并持续第二时间以得到样品离子溶液;建立离子标准物质曲线并确定标准浓度关系式;通过离子色谱仪得到所述样品离子溶液的待测离子的响应值曲线;将所述样品离子溶液得到待测离子的响应值带入标准浓度关系式以得到偏光片样品的实际离子浓度。

【技术特征摘要】
1.一种偏光片离子含量测试方法,其特征在于,包括提供一包括偏振层及位于偏振层相对表面的偏光膜的偏光片样品;按照一定比例将所述偏光片样品放入超纯水中;加热超纯水到第一温度并持续第一时间以得到第一次离子溶液,并将所述偏光片样品的偏振层与完全偏光膜脱离;加入与第一次超纯水容量相同的超纯水至第一次离子溶液内;加热所述加入超纯水的离子溶液到第二温度并持续第二时间以得到样品离子溶液;建立离子标准物质曲线并确定标准浓度关系式;通过离子色谱仪得到所述样品离子溶液的待测离子的响应值曲线;将所述样品离子溶液得到待测离子的响应值带入标准浓度关系式以得到偏光片样品的实际离子浓度。2.如权利要求1所述的一种偏光片离子含量测试方法,其特征在于,所述偏光片样品为正方形。3.如权利要求1所述的一种偏光片离子含量测试方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:敖雪丽张维维孙志恒
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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