掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法技术

本发明专利技术涉及薄膜材料制备技术。本发明专利技术公开了一种掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法。本发明专利技术的技术方案是，掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法，包括以下步骤：a、将掺铊碘化铯薄膜放入热风循环干燥箱；b、在热风循环干燥箱中充氮气，排出箱内气体，使箱内形成洁净的环境；c、设定箱内温度为20～50℃（请给出一个范围），利用鼓风系统驱动箱内氮气循环，保证箱内温度均匀；d、达到设定时间，取出掺铊碘化铯薄膜。本发明专利技术处理过程简便，无需外加其他措施改变薄膜结构，处理后的样品孔洞、间隙等微小缺陷消失，薄膜的连续致密性和表面结构明显变好，对提高掺铊碘化铯薄膜的连续致密性和空间分辨率等性能有很重要的意义。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法，包括以下步骤：a、将掺铊碘化铯薄膜放入热风循环干燥箱；b、在热风循环干燥箱中充氮气，排出箱内气体，使箱内形成洁净的环境；c、设定箱内温度为20～50℃，利用鼓风系统驱动箱内氮气循环，保证箱内温度均匀；d、达到设定时间，取出掺铊碘化铯薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘爽，郭丽娜，张红柳，陈静，钟智勇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：