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本发明涉及薄膜材料制备技术。本发明公开了一种掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法。本发明的技术方案是，掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法，包括以下步骤：a、将掺铊碘化铯薄膜放入热风循环干燥箱；b、在热风循环干燥箱中充氮气，排出箱内气体，使箱内形成洁净...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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