【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法，其特征在于：该方法包括快速退火与空气淬火二个步骤，首先将InAs样品放置于快速退火炉中，接着立即在30秒钟时间内将温度升至450℃的退火温度，保温5分钟，然后迅速将样品从退火炉中取出放置于烧杯中，待样品冷却至室温即可。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓惠勇，郭建华，邱锋，张云，胡古今，俞国林，戴宁，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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