具有改善的转换效率的掺杂了铕的溴碘化铯闪烁体及其检测器制造技术

一种闪烁体，其包括掺杂有铕的CsBrxI(1‑x)（CsBrxI(1‑x):Eu），其中x＜0.5，其通过使CsBrxI(1‑x):Eu材料在从50℃到280℃的温度下退火而可获得，其特征在于，如此获得的闪烁体在室温下、在34GHz的频率下所测量的EPR频谱示出在1200mT的磁场下的信号高度最大值，在1090mT和1140mT处的信号高度不超过40%，其中在1200mT处的经归一化的信号高度百分比被计算为100%。所述闪烁体在高能量辐射检测和射线照相术成像装置中是有用的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括掺杂有铕的的闪烁体。闪烁体示出了用于高能量辐射检测的高转换效率和低余辉。因此，本专利技术还涉及数字射线照相术平面板检测器（FPD）和高能量辐射检测器，其包括具有高转换效率的闪烁体。本专利技术在X射线成像领域中是有用的，特别是在其中高质量的图像是重要的情况下，并且也用于高能量辐射检测应用。
技术介绍
无机闪烁体在使用X射线或伽马射线的大多数当前的医学诊断成像模态中被采用。在数字射线照相术（DR）平面板检测器（FPD）（其是在检验过程期间从对象或从待检查的患者的身体部分捕获图像的X射线检测器）中，闪烁体用于将X射线转换成光。该光与非晶硅（a-Si）半导体传感器层相互作用，其中产生电荷。电荷被薄膜晶体管（TFT）收集，所述薄膜晶体管被布置在阵列中。晶体管逐行且逐列地被开启以读出并且所收集的电荷被变换成电压，所述电压被变换成数字化的数并且存储在计算机中以构成与所辐照的对象的阴影图像对应的数字图像。这种将X射线转换成电荷的方式被称为间接转换直接射线照相术（ICDR）。用于在ICDR中使用的典型的闪烁材料是掺杂有铊的碘化铯。闪烁体对于与光电倍增管（PMT）相组合来检测高能量辐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪烁体，其包括掺杂有铕的CsBrxI(1‑x)（CsBrxI(1‑x):Eu），其中x＜0.5，其通过使CsBrxI(1‑x):Eu材料在从50℃到280℃的温度下退火而可获得，其特征在于，如此获得的闪烁体在室温下、在34GHz的频率下所测量的EPR频谱示出在1200mT的磁场下的信号高度最大值，在1090mT和1140mT处的信号高度不超过40%，其中在1200mT处的经归一化的信号高度百分比被计算为100%。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.03 EP 14175634.61.一种闪烁体，其包括掺杂有铕的CsBrxI(1-x)（CsBrxI(1-x):Eu），其中x＜0.5，其通过使CsBrxI(1-x):Eu材料在从50℃到280℃的温度下退火而可获得，其特征在于，如此获得的闪烁体在室温下、在34GHz的频率下所测量的EPR频谱示出在1200mT的磁场下的信号高度最大值，在1090mT和1140mT处的信号高度不超过40%，其中在1200mT处的经归一化的信号高度百分比被计算为100%。2.根据权利要求1所述的闪烁体，其中所述EPR频谱示出在1090mT、1140mT和1200mT的磁场下的信号高度最大值以及在1250mT和1350mT处的最小值，在1090mT和1140mT处的最大值超过10%的经归一化的信号高度百分比但是不超过40%，其中在1200mT处的经归一化的信号高度百分比被计算为100%。3.根据权利要求1所述的闪烁体，其中所述CsBrxI(1-x):Eu材料具有针状晶体结构。4.根据前述权利要求中...

【专利技术属性】
技术研发人员：I曼斯，S埃伦，P勒布兰斯，L斯特鲁耶，F卡伦斯，H维里伊林克，
申请(专利权)人：爱克发医疗保健公司，
类型：发明
国别省市：比利时;BE