发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件制造技术

技术编号:9144659 阅读:150 留言:0更新日期:2013-09-12 06:02
本发明专利技术是有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件,该发光二极管组件是包含一组件基板、一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层、复数个第一沟部、一第二沟部、一绝缘层、一第一接点及一第二接点。该发光二极管组件的特征在于,该第二沟部串接该等第一沟部的一端并贯穿该第二型掺杂层及该发光层,且裸露部分该第一型掺杂层,增加该第一接点与该第一型掺杂层接触的面积,使该发光二极管组件可于高电流密度下使用而不会产生热聚集的问题,并且不会使该发光二极管组件的发光面积变小,而产生该发光二极管组件的发光效率降低的问题。而本发明专利技术的发光二极管组件可倒覆于一封装基板进行覆晶封装,以形成一覆晶式发光二极管封装组件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管组件,其特征在于,包含:一组件基板;一第一型掺杂层,配置于该组件基板上;一发光层,配置于该第一型掺杂层上;一第二型掺杂层,配置于该发光层上;复数个第一沟部,其贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面,其中每一第一沟部具有一第一端及一第二端;一第二沟部,串接该等第一沟部的该第一端,该第二沟部的延伸方向不同于该等第一沟部的延伸方向,该第二沟部贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层的表面;一绝缘层,配置于部分该第二型掺杂层上并延伸至该等第一沟部及该第二沟部的侧壁;一第一接点,配置于该等第一沟部及该第二沟部内并与该第一型掺杂层电性连接;及一第二接点,配置于该第二型掺杂层上且与该第二型掺杂层电性连接;其中,该第二沟部与该第二型掺杂层与该发光层的边缘之间具有一间距。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:黄逸儒吴志凌罗玉云苏柏仁
申请(专利权)人:新世纪光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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