一种发光二极管的外延片及其制造方法技术

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及。
技术介绍
发光二极管芯片为半导体晶体，是发光二极管的核心组件。发光二极管芯片包括外延片以及在外延片上制作的电极。其中，外延片包括衬底和外延层，外延层包括依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、η型层、多量子阱层和P型层。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题:现有的外延片中多量子阱层直接设于η型层上，由于η型层中的电子较P型层中的空穴具有较低的有效质量和较高的迁移率，在电场的驱动下，电子会以很快的速度越过多量子阱层而迁移到P型层，从而使得电子空穴的复合效率降低；且由于外延层与衬底之间具有较大的晶格常数和热膨胀系数失配，会在外延片中产生大量的位错和缺陷，影响了外延片的内量子效率。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了。所述技术方案如下:—方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、η型层、多量子阱层和P型层，所述外延片还包括设于所述η型层与所述多量子阱层之间的电流扩展层，所述电流扩展层为超晶格结构，所述超晶格结构由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，其特征在于，所述外延片还包括设于所述n型层与所述多量子阱层之间的电流扩展层，所述电流扩展层为超晶格结构，所述超晶格结构由第一子层和第二子层交替层叠而成，所述第一子层和所述第二子层由AlxGa1?xN制成，相邻的所述第一子层和所述第二子层中的Al的组分含量不同，其中，0

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：万林，魏世祯，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：