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本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，外延片还包括设于n型层与多量子阱层之间的电流扩展层，电流扩展层为超晶格结构，...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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