【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：具有芯片焊盘部的引线框或电路基板、搭载于前述引线框的芯片焊盘部或前述电路基板的一个以上的半导体元件、使设置于前述引线框或前述电路基板的电接合部与设置于前述半导体元件的电极焊盘电连接的铜线、以及使前述半导体元件与前述铜线密封的密封材料，并且，设置于前述半导体元件的电极焊盘的厚度是1.2μm以上，前述铜线的铜纯度是99.999质量%以上、前述铜线的硫元素含量是5质量ppm以下并且前述铜线的氯元素含量是0.1质量ppm以下，前述密封材料的玻璃化转变温度是135℃以上并且190℃以下，前述密封材料在玻璃化转变温度以下的温度区域中的线膨胀系数是5ppm/℃以上...
【技术特征摘要】
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