具有腐蚀阻抑剂的包封剂制造技术

一种封装的电子装置包括电子装置（101）、导电结构（129）和包封剂（201）。所述包封剂具有氯化物（303）和带负电荷的腐蚀阻抑剂（307），用于防止导电结构的腐蚀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及封装的电子装置。
技术介绍
电子装置(诸如，半导体装置)可以用诸如模制化合物(mold compound)的包封剂包封。这种封装的电子装置的一个问题是，在存在湿气的情况下包封剂中的诸如氯化物离子的腐蚀性物质会侵蚀容易受腐蚀的某些金属。减少腐蚀的一种方法是减少包封剂中的腐蚀性物质的量，例如，减少氯化物的量。
技术实现思路
根据本公开一个方面，提供一种封装的电子装置，包括:电子装置；导电结构；包封该导电结构的包封剂，其中，·所述包封剂包括氯化物和带负电荷的腐蚀阻抑剂。根据本专利技术另一方面，提供一种制造封装的电子装置的方法，包括:提供电子装置和与该电子装置电耦接的导电结构；对所述导电结构施加包封剂，其中，所述包封剂包括氯化物和带负电荷的腐蚀阻抑剂。根据本专利技术另一方面，提供一种封装的电子装置，包括:电子装置，包括具有含铝的上表面的接合盘；线接合件，其包括铜球接合件，该铜球接合件被附接到所述接合盘，从而在所述接合盘和线接合件之间具有铜和铝的金属间化合物层，该线接合件包括导线；包封剂，其包封所述线接合件，其中，所述包封剂包括氯化物和带负电荷的腐蚀阻抑剂。附图说明通过参考附图，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装的电子装置，包括：电子装置；导电结构；包封该导电结构的包封剂，其中，所述包封剂包括氯化物和带负电荷的腐蚀阻抑剂。

【技术特征摘要】
2012.01.30 US 13/361,1711.一种封装的电子装置，包括: 电子装置； 导电结构； 包封该导电结构的包封剂，其中，所述包封剂包括氯化物和带负电荷的腐蚀阻抑剂。2.根据权利要求1所述的封装的电子装置，其中，所述带负电荷的腐蚀阻抑剂包括马尿酸根离子。3.根据权利要求1所述的封装的电子装置，其中，所述带负电荷的腐蚀阻抑剂包括下列中的至少一个:1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸(HEDP)的阴离子、有机酸的阴离子和无机酸的阴尚子。4.根据权利要求1所述的封装的电子装置，其中，所述带负电荷的腐蚀阻抑剂包括下列中的至少一个的阴离子:醋酸根、甲酸根、酒石酸根、磷酸根、硅酸根和亚硝酸根。5.根据权利要求1所述的封装的电子装置，其中，所述带负电荷的腐蚀阻抑剂至少为所述包封剂的百万分之150。6.根据权利要求1所述的封装的电子装置，其中，在所述包封剂中，所述带负电荷的腐蚀阻抑剂的浓度至少为氯化物的浓度的五倍。7.根据权利要求1所述的封装的电子装置，其中，所述电子装置包括接合盘，并且，所述导电结构包括线接合件，所述线接合件包括附接到所述接合盘的导电接合材料和从所述导电接合材料延伸的导线。8.根据权利要求7所述的封装的电子装置，其中，在所述接合盘和所述导电接合材料之间形成有包括铜和铝的金属间化合物层。9.根据权利要求8所述的封装的电子装置，其中，所述带负电荷的腐蚀阻抑剂的浓度足以防止当所述导电接合材料和所述接合盘带正电荷时所述金属间化合物层被氯化物腐蚀。10.一种制造封装的电子装置的方法，包括: 提供电子装置和与该电子装置电耦接的导电结构； 对所述导电结构施加包封剂，其中，所述包封剂包括氯化物和带负电荷的腐蚀阻抑剂。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述施加进一...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·马修，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：