用于带有失效开放机构的电子封装的系统和方法技术方案

本发明专利技术涉及用于带有失效开放机构的电子封装的系统和方法。根据一个实施例，一种半导体封装包括：被配置为被安装在电路板上的第一表面；和可热膨胀材料的区域，该可热膨胀材料的区域被配置为当可热膨胀材料的温度超过第一温度时将半导体封装的第一表面推离电路板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例一般地涉及电子构件封装，并且更加具体地涉及一种用于带有失效开放(fail-open)机构的电子封装的系统和方法。
技术介绍
功率半导体器件诸如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件在从工业应用诸如重型机械到消费者应用诸如暖通空调(HVAC)系统、配电系统和汽车系统的各种各样的应用中已经变得普遍。功率半导体器件是有用的，因为它们能够利用具有小的形状因子的全固态器件替代机械开关和继电器。然而，在某些情况中，功率半导体器件可能由于器件失效而造成安全风险。例如，功率MOSFET器件可能在由于导致低欧姆状态的介质击穿或者金属化短路引起的短路条件中失效。在这个低欧姆状态中，在延长的持续时间中失去了对MOSFET的栅极的控制，从而导致器件的局部电阻性加热，这可 以在器件内形成热斑。随着时间，这个加热可以导致MOSFET器件的封装、在其上安装器件的印刷电路板(PCB )和/或在其中安设器件的系统的、非期望的热引燃。在其中安全性是主要的顾虑的系统中，诸如在汽车中，功率半导体器件的热引燃是特别地危险的。如果在功率半导体中的局部加热引起热引燃，则封装引燃，这继而引燃在其上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包括：被配置为被安装在电路板上的第一表面；和可热膨胀材料的区域，被配置为当所述可热膨胀材料的温度超过第一温度时将所述半导体封装的所述第一表面推离所述电路板。

【技术特征摘要】
2012.01.30 US 13/3617421.一种半导体封装，包括: 被配置为被安装在电路板上的第一表面；和 可热膨胀材料的区域，被配置为当所述可热膨胀材料的温度超过第一温度时将所述半导体封装的所述第一表面推离所述电路板。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述可热膨胀材料的区域包括多层金属条。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述多层金属条包括: 具有第一线性膨胀系数的内表面；和 具有第二线性膨胀系数的外表面，其中 所述内表面与所述外表面相对， 所述内表面面对所述半导体封装的所述第一表面地被置放在所述半导体封装上，并且 所述第一线性膨胀系数大于所述第二线性膨胀系数。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述内表面包括铜并且所述外表面包括铁。5.根据权利要求3 所述的半导体封装，进一步包括被置放在所述多层金属条的至少一个部分上的弹簧层。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述可热膨胀材料的区域被置放在所述第一表面内。7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述半导体封装包括被置放在所述第一表面内的空腔，并且所述可热膨胀材料被置放在所述空腔内。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中: 所述半导体封装进一步包括多个表面安装引线；并且 所述空腔被邻近于所述多个表面安装引线地置放。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述可热膨胀材料包括可热膨胀聚合物。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体封装进一步包括半导体功率晶体管器件。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体封装进一步包括: 仅仅在所述半导体封装的第一边缘上置放的单行表面安装触点；并且 所述可热膨胀材料的区域被邻近于所述单行表面安装触点地置放，其中所述可热膨胀材料被配置为当所述可热膨胀材料超过所述第一温度时将所述表面安装触点推离所述电路板的平面。12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述可热膨胀材料包括被置放于在所述半导体封装的所述第一表面中置放的通道内的双金属条。13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述双金属条包括第一端和第二端，所述第一端被固定地联结到所述通道的第一端。14.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：KK古，CB马贝拉，陈爱敏，G韦特里韦尔佩里亚萨米，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：