一种改善金属层-绝缘层-金属层失配参数的方法技术

一种改善金属层-绝缘层-金属层失配参数的方法，包括：对具有所述金属铜填充的基底进行化学机械研磨，并淀积刻蚀阻挡层；对刻蚀阻挡层进行光刻、刻蚀、清洗，以形成接触区域；在所述刻蚀阻挡层和所述接触区域淀积第一氮化钽；对所述第一氮化钽进行光刻、刻蚀、清洗；淀积绝缘层，以形成第一接触界面；在所述绝缘层上淀积第二氮化钽；对所述第二氮化钽进行光刻、刻蚀、清洗，以形成第二接触界面；在所述器件区和所述互连区处实现铜互连。本发明专利技术通过在所述器件区的第一金属铜上沉积第一氮化钽，并与所述绝缘层相邻，使得第二接触界面和第一接触界面具有相同材质，且表面粗糙度得到改善，从而在电学性能上改善了失配参数。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种改善金属层?绝缘层?金属层失配参数的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：对具有所述金属铜填充的基底之上表面进行化学机械研磨，并在所述具有所述金属铜填充的基底之上表面处淀积刻蚀阻挡层；执行步骤S2：对位于所述器件区处的第一金属铜上的刻蚀阻挡层进行光刻、刻蚀、清洗，直至暴露位于所述器件区处的第一金属铜，以形成接触区域；执行步骤S3：在所述刻蚀阻挡层之异于所述基底的一侧和所述接触区域之异于所述基底的一侧淀积第一氮化钽；执行步骤S4：对所述第一氮化钽进行光刻、刻蚀、清洗；执行步骤S5：在所述经过光刻、刻蚀、清洗后的第一氮化钽之异于所述基底的一侧淀积绝缘层，以形成由所述第一氮化钽和所述绝缘层相邻的第一接触界面；执行步骤S6：在所述绝缘层上淀积第二氮化钽；执行步骤S7：对所述第二氮化钽进行光刻、刻蚀、清洗，直至去除位于所述互联区处的第二氮化钽和绝缘层，以在所述器件区处形成由所述第二氮化钽和所述绝缘层相邻的第二接触界面；执行步骤S8：在所述器件区和所述互连区处实现铜互连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡友存，姬峰，李磊，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：