化学气相沉积反应器过程室清洁方法技术

该发明专利技术涉及一种清洁CVD-反应器(1)的过程室(4)的方法，该过程室具有一个由加热装置(7)加热的基座(6)作为过程室底部(5)和一个与过程室底部(5)对置的过程室盖罩(3)，在CVD过程中在过程室底部(5)和过程室盖罩(3)上形成的寄生覆层通过借助加热装置(7)加热基座(6)并在两个相继的清洁步骤中输入腐蚀气体加以清除。为了有效地实施清洁步骤，建议在第一清洁步骤中在第一清洁温度下主要对过程室底部(5)进行清洁，接着将基座(6)从过程室中取出，然后在第二清洁步骤中在第二清洁温度下清洁过程室盖罩(3)。

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积反应器过程室清洁方法
该专利技术涉及一种清洁CVD(化学气相沉积)-反应器过程室的方法，该过程室具有一个可由加热装置进行加热的基座作为过程室底座和一个与过程室底座对置的过程室盖罩，在CVD过程中在过程室底座和过程室盖罩上形成的寄生覆层通过借助加热装置加热底座和输入腐蚀气体在两个相继的清洁过程中加以去除。
技术介绍
DE10102745C2说明了一种CVD-反应器和一种用于清洁CVD-反应器的方法，含氟气体被输送至反应室内，在反应室内该气体借助等离子体进行电离。DE19832566C2说明了一种用于清洁CVD-反应器过程室的方法，在清洁过程中重复变化过程室的压力和温度。使用氯氟化合物作为腐蚀气体。DE102006018515A1说明了一种方法，对于该方法而言，CVD-反应器的过程室通过输入腐蚀气体进行清洁。由于在腐蚀时过程室盖板会下降，过程室的高度降低，从而使得过程室的底座和盖板可以同时通过腐蚀加以清洁。DE3888736T2＝EP0296804B1说明了一种CVD-反应器过程室清洁方法。在基座放电后，将含氯化氢的腐蚀气体的强气流输送至过程室中，以便对基座进行清洁。在基座清本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于清洁CVD?反应器(1)的过程室(4)的方法，该过程室具有由加热装置(7)加热的基座(6)作为过程室底部(5)和与过程室底部(5)对置的过程室盖罩(3)，在CVD过程中在过程室底部(5)和过程室盖罩(3)上形成的寄生覆层通过借助加热装置(7)加热基座(6)并在两个相继的清洁步骤中输入腐蚀气体加以清除，其特征在于，在第一清洁步骤中在第一清洁温度下主要对过程室底部(5)进行清洁，接着将基座(6)从过程室中取出，然后在第二清洁步骤中在第二清洁温度下清洁过程室盖罩(3)。

【技术特征摘要】
2012.02.23 DE 102012101438.81.一种用于清洁CVD－反应器(1)的过程室(4)的方法，该过程室具有由加热装置(7)加热的基座(6)作为过程室底部(5)和与过程室底部(5)对置的过程室盖罩(3)，在CVD过程中在过程室底部(5)和过程室盖罩(3)上形成的寄生覆层通过借助加热装置(7)加热基座(6)并在两个相继的清洁步骤中输入腐蚀气体加以清除，其特征在于，在第一清洁步骤中在第一清洁温度下主要对过程室底部(5)进行清洁，接着将基座(6)从过程室中取出，然后在第二清洁步骤中在第二清洁温度下清洁过程室盖罩(3)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基座(6)在第一个清洁步骤后和第二个清洁步骤前被辅助基座(6′)更换。3.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，第一清洁温度低于第二清洁温度。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第一清洁温度位于600至650摄氏度之间。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第二清洁温度位于800至1000摄...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·罗肯费勒，H·格鲁布，
申请(专利权)人：艾克斯特朗欧洲公司，
类型：发明
国别省市：