【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED发光芯片的核心生产设备里的一种加热器,具体涉及一种金属有机化合物化学气相沉积加热器。
技术介绍
金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD设备是LED发光芯片的核心生产设备。MOCVD技术的关键之一是,加热器能够提供一个均匀、稳定的温度场。另外,为了降低LED芯片的生产成本,提高生产效率的最便捷的方式是增加反应室的容积,增加单炉芯片的数量和容纳更大尺寸的蓝宝石衬底,例如目前蓝宝石衬底的尺寸正从4英寸向6英寸甚至8英寸转变, 这需要加热器提供更大的与之匹配的加热面积。目前的加热器结构设计使得这种增加加热面积的成本非常高昂,而且难度更大。另一方面,加热器有一定的使用寿命,届时昂贵的MOCVD加热器成本增加了产品的成本。现有的电阻加热体形式:第一种,加热体为螺旋状钨丝,螺旋状钨丝在一个平面上按照一定的形状均匀排布,螺旋状钨丝下面有难熔金属支撑片。优点是,成本低,可以很方便的通过增加加热丝的数量来增加加热面积。缺点是(I)螺旋状丝的加热面的平面度不高,影响加热均匀性;(2) ...
【技术保护点】
金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:包括支座(4),所述支座(4)上设有绝缘层(3),所述绝缘层(3)上设置有若干支架(2),所述支架(2)上连接有加热体(1)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:都业志,李玉花,
申请(专利权)人:苏州艾默特材料技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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