原子层沉积装置制造方法及图纸

技术编号:9097285 阅读:126 留言:0更新日期:2013-08-29 06:13
本实用新型专利技术提供原子层沉积装置。其具有光特性测定装置(41)和ALD成膜室。光特性测定装置(41)具有电源(42)、探头(43)、测定装置(44)、承载台(45)和控制部(48)。探头(43)为接受来自发光装置(10)的光的受光体。测定装置(44)测定探头(43)接受的光的同时,输出作为测定结果的色度。控制部(48)控制光特性测定装置(41)的动作整体。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及调整发光装置的色度的原子层沉积装置
技术介绍
近年来在各种领域中在作为光源的发光装置中使用LED (发光二极管)。特别的,发出白色光的白色LED的需求很高。LED光源的色度在期望范围之外的话,该发光装置则为次品。作为必须回避产生次品的调整色度的技术,公知有例如日本专利第4292794号公报。
技术实现思路
技术所解决的技术问题日本专利第4292794号公报中记载的发光装置在光源装置的表面侧具有不含荧光体的非波长变换层。然后通过研磨该非波长变换层来调整色度。然而,具有这样研磨工序的色度调整方法在非波长变换层为非平坦表面的情况下,例如在球面的情况下,具有调整困难的问题。本技术目的在于提供制造可获得期望色度的发光装置的原子层沉积装置。解决问题的技术方案为了实现上述目的,本技术提供的原子层沉积装置具有:搭载发光装置的承载台,测定所述发光装置的色度的光特性测定装置,具备排气装置的反应容器,以及向所述反应容器的内部供给原料气 体的第I给气部。所述光特性测定装置可具有:与所述发光装置的导电体连接的连接端子,连接于所述连接端子的电源,与所述发光装置对向配置的,接受所述发光装置射出的光的探头,以及与所述探头连接,测定所述探头接受的光的测定装置。所述原子层沉积装置可进一步具有基于所述光特性测定装置的输出控制所述第I给气部的控制部。所述原子层沉积装置可进一步具有在所述承载台上搭载多个所述发光装置的转移机。所述原料气体可包括T1、Zn、Ta或Nb,且原子层沉积装置可进一步具有向所述反应容器内部供给氧气的第2给气部。所述发光装置可具有发出蓝色光的发光二极管元件、和由所述蓝色光激发发出荧光的荧光体。所述发光装置可具有炮弹型形状。所述探头可具有弯曲形状,可使得所述发光装置的光出射面对向配置于所述探头的弯曲内面。可在所述反应容器的内部配置所述连接端子。可在所述反应容器的内部配置所述探头。可设置保护所述探头不受所述原料气体影响的屏蔽板。在所述反应容器的内部可进一步具有移动所述承载台或所述探头的臂,所述原子层沉积装置可具有驱动机构,其分别移动所述承载台或所述探头到,搭载在所述承载台上的所述发光装置与所述探头对向的位置和与所述探头分离的位置。可以透过性材料构成所述反应容器壁的一部分,配置于所述反应容器的外部的所述探头和所述反应容器内部配置的所述发光装置可对向配置。在所述反应容器的内部可导入光纤,在所述反应容器的外部可设置检测入射到所述光纤的光的检测部。技术的效果根据本技术,可以 提供制造可获得期望色度的发光装置的原子层沉积装置。附图说明图1是显示发光装置的截面图。图2是显示本技术的第I实施方式的原子层沉积装置的光特性测定装置的示意图。图3 (a) - (C)是标示发光装置的色度(x,y)的坐标图。图4是显示本技术的第I实施方式的原子层沉积装置的成膜室的示意图。图5是显示溅射法形成的透明膜的示例的图片。图6是显示本技术的第2实施方式的原子层沉积装置的成膜室的示意图。图7是显示本技术的第3实施方式的原子层沉积装置的成膜室的示意图。图8是显示接续图7的成膜室的示意图。图9是显示原子层沉积装置的变形例的示意图。图10是显示原子层沉积装置的变形例的示意图。图11是显示表面安装型发光装置的截面图。具体实施方式以下参照附图说明本技术的实施方式。第I实施方式图1中显示了发光装置10。发光装置10具有基板11、导电体12a、12b、LED元件13、配线14a、14b、灌封树脂15、荧光体16和透明树脂17。发光装置10为所谓的炮弹型发光装置。灌封树脂15填充于反射部19内以灌封LED元件13的上面和侧面。突光体16分散的分布于灌封树脂15内。透明树脂17形成为覆盖灌封树脂15的整体。透明树脂17形成为大致半球状。通过这个形状,发光装置10发出的光扩展成大致半球状。透明树脂17具有透光性。透明树脂17与灌封树脂15 —样由环氧树脂或硅树脂等制成。本实施方式中,透明树脂17由硅树脂形成。接下来,对于本实施方式的原子层沉积装置按照透明膜的成膜工序进行说明。以下,图面是用于说明原子层沉积装置的结构以及成膜工序等的概略图,而非实际尺寸。首先,原子层沉积装置使用图2所示的光特性测定装置41测定发光装置10的色度。光特性测定装置41具有电源42、探头43、测定装置44、承载台45和控制部48。光特性测定装置41通过连接端子将发光装置10的导电体12a、12b连接于电源42。透明树脂17的上方设置有探头43。探头43是接受来自发光装置10的光的受光体。本实施方式中探头43具有碗状形状。探头43的内面对向于设置在承载台45上的发光装置10的透明树脂17。探头43连接于测定装置44。测定装置44测定探头43接受的光。另夕卜,测定装置44是输出作为基于如图3的CIE (国际照明委员会)_ΧΥΖ表色系的色度(x,y)利用的测定结果的装置。控制部48由CPU (中央处理器)、RAM (随机存储器)和ROM (只读存储器)等构成。控制部48控制光特性测定装置41的整体动作。实施例中碗状的探头接受全方向的光,但也可以接受指定角度方向的光。或者,使用可移动的探头接受各个角度方向的光。接受全方向的光的情况下,可将探头设计为弯曲形状或球面形状,配置发光装置的出光面对向于弯曲内面。本装置测定色度的同时测定总光通量。此外,本装置不限于色度、总光通量,可以测定各种光特性。图2中色度测定的结果在图3 (a) - (c)的例如X印记处标示。图3 (a) - (c)中相对作为示例的9个发光装置分别标示1-9的样品编号和测定结果。该结果只要在发光装置的规定合格范围内的话则没有问题。然而图3 (a)的X印记处的示例则为色度在合格范围之外。相对色度在合格范围之外的发光装置10,通过ALD (atomic layer deposition,原子层沉积)法在透明树脂17的表面形成透明膜18 (图4)。ALD法可以使用热ALD法和PE-ALD (Pla sma Enhanced Atomic Layer Deposition,等离子体增强原子层沉积)法。特别的在本说明书说明的发光装置中,较好的是能够以比较低的温度形成细致的层的PE-ALD法。本实施方式中使用TiO2作为透明膜18的材料。TiO2形成的透明膜18具有比硅树脂形成的透明树脂17的材料的折射率(约1.41)更高的、大约2.42的折射率。透明膜18反射短波长一侧的光,即在本实施方式为蓝色光。由此,透明膜18具有使得发光装置10向外部发射的光的色度向长波长一侧变化的效果。基于图3 (a)的X印记处显示的色度的测定结果,调整透明膜18的膜厚度。如图4所示,成膜室51具有给气部52、排气装置53、承载台55和控制部58。给气部52和排气装置53连接于成膜室51。可以向成膜室51外部的搬出以及从成膜室51外部搬入承载台55。ALD法成膜时在规定的位置配置承载台55。控制部58由CPU、RAM和ROM等构成。控制部58控制成膜室51的整体动作。以下为透明膜18的概要成膜工序。首先将发光装置10设置在成膜室51内的规定的承载台55。之后,从给气部52向成膜室51供给包含Ti的原料气体。本实施例使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
原子层沉积装置,其特征在于,具有:搭载发光装置的承载台,测定所述发光装置的色度的光特性测定装置,具备排气装置的反应容器,以及向所述反应容器的内部供给原料气体的第1给气部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吉田武史石塚勇史
申请(专利权)人:株式会社昭和真空
类型:实用新型
国别省市:

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