一种上电复位电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种上电复位电路，包括脉冲产生模块、延时整形模块和正反馈模块，所述脉冲产生模块通过低电源上电和反相器翻转产生脉冲信号，所述整形延时模块通过级联反相器整形和电容延时，所述正反馈模块通过复位信号自身反馈加强复位动作的稳定性。本实用新型专利技术设有第一反相器，第一NMOS管的漏极电压达到第一反相器的翻转电平，则第一反相器进行翻转，第一PMOS管的栅极电压从低电平变成高电平，从而第一PMOS管变成截止状态，第一PMOS管的漏极电压从高转为低，并通过第二反相器、第五反相器、第六反相器输出复位信号，通过调节第一反相器的翻转电压就可以设置复位电路的起拉电压，电路中电容的大小可以设置复位电路的复位时间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种上电复位电路，包括脉冲产生模块、延时整形模块和正反馈模块，其特征在于：所述脉冲产生模块包括：第一NMOS管（37）、第二NMOS管（39），所述第一NMOS管（37）的栅极与第二NMOS管（39）的栅极连接，源极接低电源，漏极与第一反相器（34）的输入端连接，所述第二NMOS管（39）的源极接低电源；第一PMOS管（32），所述第一PMOS管（32）的栅极与第一反相器（34）的输出端连接，其源极接地，漏极与所述第二NMOS管（39）的漏极连接；所述正反馈模块包括：第二PMOS管（36）、第三PMOS管（41），所述第二PMOS管（36）的栅极与第三PMOS管（41）的栅极连接，其源极接地，漏极与第一NMOS管（37）的漏极相连，所述第三PMOS管（41）的源极接地，漏极与第二反相器（49）的输入端连接；第三反相器（48），其输入端接低电源，输出端与第二PMOS管（36）的栅极相连；与非门（46），其有两个输入端，一个输入端连接所述第二反相器（49）的输出端，另一个输入端连接所述第三反相器（48）的输出端，其输出端与第四反相器（45）的输入端连接；第三NMOS管（42）、第四NMOS管（44），第三NMOS管（42）的栅极与第四NMOS管（44）的栅极相连，其源极接低电源，漏极与第一反相器（34）的输入端连接，第四NMOS管（44）的栅极连接第四反相器（45）的输出端，其源极接低电源，漏极连接第二反相器（49）的输入端；所述延时整形模块包括：第二反相器（49）、第五反相器（50）、第六反相器（51），所述第二反相器（49）、第五反相器（50）、第六反相器（51）依次串接，第二反相器（49）的输入端与第一PMOS管（32）的漏极相连；第一电容（30），其一端连接第二反相器（49）的输入端，另一端与第四PMOS管（29）的漏极连接，所述第四PMOS管（29）的源极接地，栅极与第五PMOS管（31）的栅极连接，所述第五PMOS管（31）的源极接地，漏极与第四PMOS管（29）的漏极连接；第二电容（33），其一端接低电源，另一端连接所述第一PMOS管（32）的栅极；第三电容（35），其一端接地，另一端连接所述第一NMOS管（37）的漏极；第四电容（38），其一端接低电源，另一端与所述第一NMOS管（37）的栅极连接；第五电容（40），其一端接低电源，另一端与所述第二PMOS管（36）的栅极连接；第六电容（43），其一端接低电源，另一端与所述第三NMOS管（42）的栅极连接；第七电容（47），其一端接低电源，另一端与第二反相器（49）的输出端连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金湘亮，彭伟娣，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：实用新型
国别省市：