通电复位电路制造技术

提供一种通电复位电路，其不论电源启动的状态如何而正常动作。一种通电复位电路，其由如下部分构成：NMOS晶体管，其源极连接到第二电源端子，栅极连接到漏极；耗尽型NMOS晶体管，其源极连接到NMOS晶体管的漏极，漏极连接到第一电源端子，栅极连接到第二电源端子；PMOS晶体管，其源极连接到第一电源端子，栅极连接到NMOS晶体管的漏极；电容器，其一端连接到PMOS晶体管的漏极，另一端连接到第二电源端子；以及波形整形电路，其输入端子连接到PMOS晶体管的漏极，并由输出端子作为通电复位信号而输出。这样，在从任何电源电压开始的启动中，都实现准确的通电复位信号输出。

【技术实现步骤摘要】
通电复位电路
本专利技术涉及CMOS半导体集成电路的通电复位电路。
技术介绍
在不具有复位端子的CMOS半导体集成电路中，内置有在连接电源时初始化内部逻辑电路、模拟电路的通电复位电路。用图2对现有的通电复位电路进行说明。电源电压启动时，通过电容111的耦合，节点B的电压也成为电源电压。于是，通过逆变器121，节点C的电压变成低电平。节点C的电压通过波形整形电路107进行波形整形，并向节点D输出低电平的复位信号。该复位信号将初始化与节点D连接的电路。还有，节点C的电压变成低电平时，NMOS晶体管103将截止。控制电路100在输入端子变成低电平时，向输出端子输出高电平信号。NMOS晶体管102因栅极电压变高而导通，积蓄于电容111的电荷经由耗尽型NMOS晶体管101放电。节点B的电压下降到逆变器121的反转电压时，节点C的电压变为高电平。节点C的电压通过波形整形电路107被整形，节点D的复位信号被解除。还有，当节点C的电压变成高电平时，NMOS晶体管103导通而使电容111放电，从而节点B的电压成为接地电压。这里，现有的通电复位电路因为在节点C设置有下拉元件122，所以有以下特征：即使在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通电复位电路，具备：NMOS晶体管，其源极连接到第二电源端子，栅极连接到漏极；耗尽型NMOS晶体管，其源极连接到所述NMOS晶体管的漏极，漏极连接到第一电源端子，栅极连接到所述第二电源端子；PMOS晶体管，其源极连接到所述第一电源端子，栅极连接到所述NMOS晶体管的漏极；电容器，其一端连接到所述PMOS晶体管的漏极，另一端连接到所述第二电源端子；以及波形整形电路，其输入端子连接到所述PMOS晶体管的漏极，并由输出端子作为通电复位信号而输出。

【技术特征摘要】
2012.01.30 JP 2012-017053;2012.09.25 JP 2012-21131.一种通电复位电路，具备：NMOS晶体管，其源极连接到第二电源端子，栅极连接到漏极；耗尽型NMOS晶体管，其源极连接到所述NMOS晶体管的漏极，漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈智博，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：