上电复位电路制造技术

一种上电复位电路，包括复位信号产生电路，该复位信号产生电路包括：启动电阻电路，电容C0，PMOS管Mp0、Mp1、Mp2，NMOS管Mn0、Mn1、Mn2；Mp0的第一金属极、启动电阻电路、电容C0、Mn2的栅极分别接入电源VDD，Mp0的第二金属极与Mp1的第一金属极连接，Mp1的第二金属极与Mp2的第一金属极连接，Mp2的第二金属极与Mn1的第一金属极连接，启动电阻电路的另一端、电容C0的另一端、Mp2的栅极、Mn1的栅极与Mn0的栅极和第一金属极相互连接，Mn0的第二金属极与Mn2的第一金属极连接，Mp0的栅极、Mp1的栅极、Mn1的第二金属极、Mn2的第二金属极接地。根据本发明专利技术，无论是电源VDD上电速度快还是慢，都可以有效地输出复位信号，使芯片复位，提高了上电复位的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种上电复位电路，其特征在于，包括复位信号产生电路，所述复位信号产生电路包括：启动电阻电路，电容C0，PMOS管Mp0，PMOS管Mp1，PMOS管Mp2，NMOS管Mn0，NMOS管Mn1，NMOS管Mn2；PMOS管Mp0的第一金属极、启动电阻电路、电容C0、NMOS管Mn2的栅极分别接入电源VDD，PMOS管Mp0的第二金属极与PMOS管Mp1的第一金属极连接，PMOS管Mp1的第二金属极与PMOS管Mp2的第一金属极连接，PMOS管Mp2的第二金属极与NMOS管Mn1的第一金属极连接，启动电阻电路的另一端、电容C0的另一端、PMOS管Mp2的栅极、NMOS管Mn1的栅极与NMOS管Mn0的栅极和第一金属极相互连接，NMOS管Mn0的第二金属极与NMOS管Mn2的第一金属极连接，PMOS管Mp0的栅极、PMOS管Mp1的栅极、NMOS管Mn1的第二金属极、NMOS管Mn2的第二金属极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈春平，
申请(专利权)人：珠海市杰理科技有限公司，
类型：发明
国别省市：