本实用新型专利技术提供了一种上电复位电路，用于输出复位信号，其包括电源检测电路，其中，所述电源检测电路包括带隙基准电压源、比较器、分压模块，所述分压模块输出第一分压电压，其与所述带隙基准电压源输出的基准电压，通过所述比较器进行比较，当所述第一分压电压大于所述基准电压时，所述电源检测电路输出第一信号。本实用新型专利技术的上电复位电路，其电源检测部分采用带隙基准电压源及比较器的电路结构，并且增加了低电压下的设置电路，能够保证低电压时输出复位信号的准确性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种上电复位电路。
技术介绍
对于数模混合电路，在上电时，需要给到数字电路一个复位信号，重置上电带来的不定状态，使得整体电路能够正常工作。但在低电压下，电路通常不能正常工作，不能正确保证输出。比如，现有技术的复位电路在上电时，由于电源电压较低，会导致其输出的逻辑不确定，其输出的复位信号不可A+-.与巨O因此，需要一种安全可靠的上电复位电路来提供可靠的复位信号。
技术实现思路
本技术提供了一种新型的上电复位电路，用于输出复位信号，其能够保证上电检测的有效安全。一种上电复位电路，用于输出复位信号，其包括电源检测电路，其中，所述电源检测电路包括带隙基准电压源、比较器、分压模块，所述分压模块输出第一分压电压，其与所述带隙基准电压源输出的基准电压，通过所述比较器进行比较，当所述第一分压电压大于所述基准电压时，所述电源检测电路输出第一信号。进一步地，所述分压模块还输出小于所述第一分压电压的第二分压电压，所述电源检测电路还包括:第一 NMOS管，其源极接地，其漏极通过第一电阻连接到电源，其栅极接所述第二分压电压；第二 NMOS管，其源极接地，其栅极通过所述第一电阻连接到电源，其漏极连接到所述带隙基准电压源的输出支路上的MOS管的栅极。进一步地，所述上电复位电路还包括依次连接的滤波电路和计数延迟电路，分别用于对所述第一信号进行滤波和延迟，最终输出所述复位信号。进一步地，所述上电复位电路还包括连接于所述电源检测电路和所述滤波电路之间的施密特触发器，用于对所述第一信号进行整形。本技术的上电复位电路，其电源检测部分采用带隙基准电压源及比较器的电路结构，并且增加了低电压下的设置电路，能够保证低电压时输出复位信号的准确性。【附图说明】图1为本技术的上电复位电路的结构示意图；图2为本技术的上电复位电路的电源检测电路的一个实施例的结构示意图；图3为本技术的上电复位电路的电源检测电路的另一个实施例的结构示意图；图4为图3所示电路的波形示意图。【具体实施方式】下面结合附图和【具体实施方式】对本技术的上电复位电路作进一步的详细描述，但不作为对本技术的限定。参照图1，本技术的上电复位电路，用于输出复位信号Vpor，优选地，其包括依次连接的电源检测电路、施密特触发器、滤波电路和计数延迟电路。其中，电源检测电路用于检测电源电压是否达到预定值，达到预定值时给出第一信号Vdet;该第一信号Vdet经过施密特触发器整形、滤波电路滤波、计数延迟电路延迟之后，形成最终输出的复位信号Vpor0参照图2，电源检测电路包括带隙基准电压源、比较器、以及分压模块。其中，分压模块输出第一分压电压VI，Vl与带隙基准电压源输出的基准电压Vref，通过比较器进行比较，当第一分压电压Vl大于所述基准电压Vref时，电源检测电路输出第一信号Vdet。图2所示的带隙基准电压源和比较器分别为简化结构的带隙基准电压源和比较器，所示的分压模块为串联分压电阻的分压模块，可以理解的是，这些结构不限于图2所示的结构，其可以是任何本领域技术人员所熟知的能够实现其类似功能的其他结构。由于在实际电路中，当电源电压较低时，带隙基准电压源输出的电平不是正常值，此时容易使得电源检测电路的检测结果错误。为此，优选地，参照图3，分压模块还输出小于第一分压电压Vl的第二分压电压V2，该电源检测电路还包括:第一 NMOS管丽I，其源极接地、漏极通过第一电阻R2连接至电源、栅极接第二分压电压V2 ;以及第二 NMOS管丽2，其源极接地、栅极通过第一电阻R2连接到电源、漏极连接到带隙基准电压源的输出支路上的MOS管M5的栅极。参照图4的波形来描述该电源检测电路的工作原理。第一阶段:当电源上电时，由于电源电压很低，因此第二分压电压V2也低，其使得第一 NMOS管丽I关闭，第二 NMOS管丽2的栅极(即节点A)经第一电阻R2接至电源。当电源继续升高，使得第二 NMOS管丽2的栅源电压大于其开启电压Vth2时，第二 NMOS管丽2导通，使得M5的栅极(即节点B)接地。此时，该基准源的输出节点经M5拉至电源，即可以保证其输出电压Vref与电源值相同或略低于电源值，从而保证此时的第一分压电压Vl不会大于Vref，即能够保证此时的Vdet输出为低。可见，该电路结构可以保证，在开机上电时，电源电压较低电路未开始正常工作时，该上电复位电路输出的复位信号Vpor为低，即不给出复位信号。第二阶段:当电源电压继续升高时，同时第二分压电压V2也会继续升高，当其使得第一 NMOS管丽I的栅源电压大于其开启电压Vthl时，第一 NMOS管丽I导通，其使得节点A接地，从而导致第二 NMOS管MN2关闭。至此，带隙基准电压源开始正常工作，节点B的电压抬升，带隙基准电压源的输出电压Vref迅速下降到基准电平，电源检测电路进入正常的判定状态，即待电源上升到预定值(其通过第一分压电压Vl上升到Vref来间接判断)，该电源检测模块的输出电压Vdet的输出电平变高，从而使得该上电复位电路在电源电压足够高能够使得电路正常工作的情况下，才输出上电复位信号。综上，本技术的上电复位电路，其电源检测部分采用带隙基准电压源及比较器的电路结构，并且增加了低电压下的设置电路，能够保证低电压时输出复位信号的准确性。以上【具体实施方式】仅为本技术的示例性实施方式，不能用于限定本技术，本技术的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本技术的实质和保护范围内，对本技术做出各种修改或等同替换，这些修改或等同替换也应视为落在本技术的保护范围内。【主权项】1.一种上电复位电路，用于输出复位信号，其包括电源检测电路，其特征在于，所述电源检测电路包括带隙基准电压源、比较器、分压模块，所述分压模块输出第一分压电压，其与所述带隙基准电压源输出的基准电压，通过所述比较器进行比较，当所述第一分压电压大于所述基准电压时，所述电源检测电路输出第一信号。2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述分压模块还输出小于所述第一分压电压的第二分压电压，所述电源检测电路还包括: 第一 NMOS管，其源极接地，其漏极通过第一电阻连接到电源，其栅极接所述第二分压电压； 第二 NMOS管，其源极接地，其栅极通过所述第一电阻连接到电源，其漏极连接到所述带隙基准电压源的输出支路上的MOS管的栅极。3.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路还包括依次连接的滤波电路和计数延迟电路，分别用于对所述第一信号进行滤波和延迟，最终输出所述复位信号。4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路还包括连接于所述电源检测电路和所述滤波电路之间的施密特触发器，用于对所述第一信号进行整形。【专利摘要】本技术提供了一种上电复位电路，用于输出复位信号，其包括电源检测电路，其中，所述电源检测电路包括带隙基准电压源、比较器、分压模块，所述分压模块输出第一分压电压，其与所述带隙基准电压源输出的基准电压，通过所述比较器进行比较，当所述第一分压电压大于所述基准电压时，所述电源检测电路输出第一信号。本技术的上电复位电路，其电源检测部分采用带隙基准电压源及比较器的电路结构，并且增加本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种上电复位电路，用于输出复位信号，其包括电源检测电路，其特征在于，所述电源检测电路包括带隙基准电压源、比较器、分压模块，所述分压模块输出第一分压电压，其与所述带隙基准电压源输出的基准电压，通过所述比较器进行比较，当所述第一分压电压大于所述基准电压时，所述电源检测电路输出第一信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴艳辉，陈丽，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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