【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种上电复位电路，尤其涉及一种高抗干扰性上电复位电路。
技术介绍
目前的积分型上电复位电路设计中，主要包括电压源、一个电阻和一个电容和反相器。在目前的积分型上电复位电路中，为了保证复位脉冲宽度满足单片机复位要求，涉及人员常常将R、C的值增大以提高时间常数，并应用具有施密特输入的反相器以提高抗干扰性。这种复位电路存在上电复位不可靠的情况，特别是两次开关电源时间间隔相对较短时，单片机容易出现上电复位失败的情况，从而导致系统异常。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中的不足，提供一种能够优化放电回路的RC时间常数，从而提高上电复位的可靠性和提供复位电路对电源电压波动的抗干扰性的高抗干扰性上电复位电路。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为:一种高抗干扰性上电复位电路，包括电压源VDD、电阻R2、电容C和反相器，所述高抗干扰性上电复位电路还包括一个放电支路，所述放电支路由二极管D与所述电阻Rl串联形成，所述放电支路分别与所述电阻R2的两端连接形成并联，所述二极管D的阳极与所述电阻R2接所述电容C 一端导通，所述二极管D的阴极与所述电阻R2接所述电压源VDD —端导通。所述电阻Rl的电阻值远小于所述电阻R2的电阻值。优选的，所述二极管D为肖特基二极管。优选的，在所述放电支路中，所述二极管的阴极通过所述电阻Rl与所述电阻R2接所述电压源VDD端连接。所述二极管D用于提供放电回路，所述电阻Rl用于控制放电时间参数。本技术的有益效果是:通过增加二极管D，使得放电回路时间常数远远小于充电时间常数，重复开关电源而造成上电复位不可靠的现象得到控制。又在放电回路上增...
【技术保护点】
一种高抗干扰性上电复位电路，包括电压源（VDD）、电阻（R2）、电容（C）和反相器，其特征在于，所述高抗干扰性上电复位电路还包括一个放电支路，所述放电支路由二极管（D）与电阻（R1）串联形成，所述放电支路分别与所述电阻（R2）的两端连接形成并联，所述二极管（D）的阳极与所述电阻（R2）接所述电容（C）一端导通，所述二极管（D）的阴极与所述电阻（R2）接所述电压源（VDD）一端导通。
【技术特征摘要】
1.一种高抗干扰性上电复位电路，包括电压源(VDD)、电阻(R2)、电容(C)和反相器，其特征在于，所述高抗干扰性上电复位电路还包括一个放电支路，所述放电支路由二极管(D)与电阻(Rl)串联形成，所述放电支路分别与所述电阻(R2)的两端连接形成并联，所述二极管(D)的阳极与所述电阻(R2)接所述电容(C) 一端导通，所述二极管(D)的阴极与所述电阻(R2)接所述电压源(V...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵玉民，谢志远，
申请(专利权)人：深圳市怡化电脑有限公司，深圳市怡化时代科技有限公司，深圳市怡化金融智能研究院，
类型：实用新型
国别省市：
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