一种用于漏电保护器的抗干扰分立电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于漏电保护器的抗干扰分立电路，其包括零序电流互感器TA、整流桥、可控硅SCR、脱扣线圈TR以及脱扣开关QF，所述可控硅SCR的A极和K极分别与所述整流桥的正极端和负极端连接，所述可控硅SCR的G极分两路，一路通过电容C2接地，另一路串联电阻R4后接稳压二极管VD5的阳极，稳压二极管VD5的阴极接地，所述稳压二极管VD5的阳极和阴极分别与零序电流互感器TA相连，所述可控硅SCR的A极和K极之间并联电阻R5，利用稳压二极管VD5正向抗浪涌电流能力强于反向，泄放浪涌电流，钳位浪涌电压，保护可控硅SCR不在较高的电压下发生击穿或较高的电压变化率下误触发，使漏电断路器在使用中更可靠。

【技术实现步骤摘要】

本技术漏电保护器领域，具体涉及一种用于漏电保护器的抗干扰分立电路。
技术介绍
随着漏电断路器使用推广及人民生活水平提高，家用电器等设备增加，而家用电器普遍存在感性负载和容性负载，这些负载在使用中易产生感应电动势、浪涌电压以及冲击电流，从而要求漏电断路器对抗浪涌电压、冲击电流等干扰的能力越来越强，使漏电断路器在各种情况下能可靠使用，确保漏电断路器不出现误跳和失效现象。目前市场上主流漏电断路器漏电保护线路有2种，分别是分立线路和集成线路，其中分立线路板对抗浪涌电压和冲击电流干扰性差，误动现象频发，给用户的使用造成不便。
技术实现思路
为了克服现有的漏电保护器在使用中易引起误跳、不可靠性隐患缺点，特设计另外一种抗干扰性强的用于漏电保护器的抗干扰分立电路。本技术提供一种用于漏电保护器的抗干扰分立电路，其包括零序电流互感器TA、整流桥、可控硅SCR、脱扣线圈TR以及脱扣开关QF，所述脱扣线圈TR以及脱扣开关QF设置在整流桥的交流端的回路中，所述可控硅SCR的A极和K极分别与所述整流桥的正极端和负极端连接，所述可控硅SCR的G极分两路，一路通过电容C2接地，另一路串联电阻R4后接稳压二极管VD5的阳极，稳压二极管VD5的阴极接地，所述稳压二极管VD5的阳极和阴极分别与零序电流互感器TA相连，所述可控硅SCR的A极和K极之间并联电阻R5。所述电阻R5的支路上串联电容C1。所述整流桥的交流端的回路并联设置压敏电阻RV。所述零序电流互感器TA与稳压二极管VD5的回路之间并联电阻R1。所述零序电流互感器TA与稳压二极管VD5的回路之间并联电容C3。所述抗干扰分立电路还设有试验电路。所述试验电路包括串联设置的试验按钮SE和限流电阻R3，所述试验电路一端与整流桥的交流端连接，另一端通过零序电流互感器TA后与电源的一个进线相连。所述稳压二极管VD5的正向压降为850mV-880mV。技术的有益效果是：稳压二极管VD5与电阻R4、电阻R5、电容C2构成可控硅触发极钳位保护电路和滤波电路，当线路中产生了冲击电流，通过零序电流互感器TA感应出浪涌电压经过稳压二极管VD5形成低压降的通路，利用稳压二极管VD5正向抗浪涌电流能力强于反向，泄放浪涌电流，钳位浪涌电压，保护可控硅SCR不在较高的电压下发生击穿或较高的电压变化率下误触发，使漏电断路器在使用中更可靠。附图说明图1是本技术的原理示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术实施例作进一步说明：漏电断路器使用在感性负载和容性负载的情况下，会产生极高的冲击电流，由于零序电流互感器TA本身的不对称性，极易感应出较大的感应电压，市场上通用的分立线路原理中可控硅SCR的保护线路设计不合理，易引起产品误动、可控硅击穿以及稳压管击穿等现象，使漏电断路器误跳或失效。如图1所示，本技术提供一种用于漏电保护器的抗干扰分立电路，其包括零序电流互感器TA、整流桥、可控硅SCR、脱扣线圈TR以及脱扣开关QF，所述脱扣线圈TR以及脱扣开关QF设置在整流桥的交流端的回路中，所述可控硅SCR的A极和K极分别与所述整流桥的正极端和负极端连接，所述可控硅SCR的G极分两路，一路通过电容C2接地，另一路串联电阻R4后接稳压二极管VD5的阳极，稳压二极管VD5的阴极接地，所述稳压二极管VD5的阳极和阴极分别与零序电流互感器TA相连，所述可控硅SCR的A极和K极之间并联电阻R5。稳压二极管VD5与电阻R4、电阻R5、电容C2构成可控硅触发极钳位保护电路和滤波电路，而电阻R4和电阻R5构成限流电路，并提供正常工作条件下可控硅SCR的回路，利用稳压二极管VD5正向抗浪涌电流能力强于反向，泄放浪涌电流，钳位浪涌电压，保护可控硅不在较高的电压下发生击穿或较高的电压变化率下误触发，使漏电断路器在使用中更可靠。通过调整稳压二极管VD5的稳定电压、正向压降、电阻R4、电阻R5的阻值，使得所述稳压二极管VD5的正向压降为850mV-880mV，可以匹配不同输出特性的零序电流互感器TA和不同触发电流的可控硅SCR，使得漏电保护器能够符合GB16917.1的规定。所述整流桥包括包括四个二极管VD1-VD4，将电源L端和N端的产生的交流电转换成直流电。所述电阻R5的支路上串联电容C1，用于滤掉高频干扰信号，进一步保证漏电断路器的可靠性。所述整流桥的交流端的回路并联设置压敏电阻RV，起到输入保护的作用。所述零序电流互感器TA与稳压二极管VD5的回路之间并联电阻R1，该电阻R1作为调试电阻使用。所述零序电流互感器TA与稳压二极管VD5的回路之间并联电容C3，该电容C3起到滤波的作用。所述抗干扰分立电路还设有试验电路，所述试验电路包括串联设置的试验按钮SE和限流电阻R3，所述试验电路一端与整流桥的交流端连接，另一端通过零序电流互感器TA后与电源的一个进线N端相连。使用时起模拟漏电的作用。实施例不应视为对本技术的限制，任何基于本技术的精神所作的改进，都应在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于漏电保护器的抗干扰分立电路，其包括零序电流互感器（TA）、整流桥、可控硅（SCR）、脱扣线圈（TR）以及脱扣开关（QF），所述脱扣线圈（TR）以及脱扣开关（QF）设置在整流桥的交流端的回路中，所述可控硅（SCR）的A极和K极分别与所述整流桥的正极端和负极端连接，其特征在于：所述可控硅（SCR）的G极分两路，一路通过电容（C2）接地，另一路串联电阻（R4）后接稳压二极管（VD5）的阳极，稳压二极管（VD5）的阴极接地，所述稳压二极管（VD5）的阳极和阴极分别与零序电流互感器（TA）相连，所述可控硅（SCR）的A极和K极之间并联电阻（R5）。

【技术特征摘要】
1.一种用于漏电保护器的抗干扰分立电路，其包括零序电流互感器（TA）、整流桥、可控硅（SCR）、脱扣线圈（TR）以及脱扣开关（QF），所述脱扣线圈（TR）以及脱扣开关（QF）设置在整流桥的交流端的回路中，所述可控硅（SCR）的A极和K极分别与所述整流桥的正极端和负极端连接，其特征在于：所述可控硅（SCR）的G极分两路，一路通过电容（C2）接地，另一路串联电阻（R4）后接稳压二极管（VD5）的阳极，稳压二极管（VD5）的阴极接地，所述稳压二极管（VD5）的阳极和阴极分别与零序电流互感器（TA）相连，所述可控硅（SCR）的A极和K极之间并联电阻（R5）。2.根据权利要求1所述的一种用于漏电保护器的抗干扰分立电路，其特征在于：所述电阻（R5）的支路上串联电容（C1）。3.根据权利要求1所述的一种用于漏电保护器的抗干扰分立电路，其特征在于：所述整流桥的交流端的回路并联设置压敏...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪传生，范奇文，赵策，
申请(专利权)人：浙江天正电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33