实现存储卡写保护和复位的电路制造技术

本发明专利技术涉及一种实现存储卡写保护和复位的电路，其特征在于，包括具有接收控制信号的三极管开关电路，与所述三级管开关电路连接的MOS管开关电路，与所述MOS管开关电路连接的外部电源接口及存储卡电源接口；当所述三极管开关电路导通时，所述MOS管开关电路导通，电源依次经所述外部电源接口、所述MOS管开关电路、所述存储卡电源接口驱动存储卡；当所述三极管开关电路关断时，所述MOS管开关电路关断，所述存储卡断电。本发明专利技术的电路拓扑简单，电路失效率低、成本低，直观；适用范围广，可适用于多种类型的存储卡的写保护和复位控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储设备领域，尤其涉及实现存储卡写保护和复位的电路。
技术介绍
在轨道交通、航空电子等具有安全性和可用性要求的控制系统中，系统的存储卡需要具有在控制系统发生系统整机复位或者存储卡的数据线和地址线不可控时，对存储卡进行写保护功能。防止存储卡内部数据被修改。同时，当存储卡内部发生故障时，存储卡能实现单独复位功能。目前，部分存储卡通过自身的机械结构来实现写保护。例如SD卡自身有一个写保护的“LOCK”开关，通过调整该开关的位置来实现SD卡的写保护。部分存储卡硬件上不存在写保护结构，只能通过软件来实现写保护。例如TF卡和CF卡自身不带写保护开关，通过软件来实现写保护功能。目前，存储卡没有专门的复位电路对自身进行复位。现有方案是通过软件对存储卡进行初始化，实现对存储卡的复位。
技术实现思路
为解决前述问题，本专利技术提出一种实现存储卡写保护和复位的电路，用于实现在存储卡在系统复位状态下，其读写状态与写保护状态切换的功能，还用于实现存储卡单独复位的能力，提高系统对存储卡的识别。为达到前述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种实现存储卡写保护和复位的电路，其特征在于，包括具有接收控制信号的三极管开关电路，与所述三级管开关电路连接的MOS管开关电路，与所述MOS管开关电路连接的外部电源接口及存储卡电源接口；当所述三极管开关电路导通时，所述MOS管开关电路导通，电源依次经所述外部电源接口、所述MOS管开关电路、所述存储卡电源接口驱动存储卡；当所述三极管开关电路关断时，所述MOS管开关电路关断，所述存储卡断电。本专利技术的第一优选方案在于：还包括与所述MOS管开关电路连接且用于指示所述存储卡供电状态的状态指示电路。本专利技术的第二优选方案在于：所述三极管开关电路包括接收所述控制信号的第一端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管；所述第一端与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端、第三电阻的一端连接；所述第二电阻的另一端接地，所述第三电阻的另一端连接第一三极管的基极；所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极与所述MOS管开关电路连接。本专利技术的第三优选方案在于：所述MOS管开关电路包括与所述三极管开关电路中第一三极管集电极连接的第二端、第四电阻、第五电阻、第一MOS管、第六电阻、用于与外部直流电源连接的外部电源接口；所述第二端与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与所述第一MOS管G极、所述第五电阻的一端连接；所述第五电阻另一端与所述外部电源接口、所述第一MOS管D极连接；所述第一MOS管的S极连接第六电阻的一端、存储卡电源接口；所述第六电阻的另一端接地。本专利技术的第四优选方案在于：所述状态指示电路包括正极与所述存储卡电源接口连接的发光二极管及与所述发光二极管负极连接的第七电阻，所述第七电阻接地。本专利技术的第五优选方案在于：所述MOS管开关电路还包括第一电容，所述第一电容一端与所述第五电阻另一端连接，所述第一电容另一端与所述第五电阻一端连接。本专利技术可达到如下技术效果：电路拓扑简单，电路失效率低、成本低，直观；适用范围广，可适用于多种类型的存储卡的写保护和复位控制。本专利技术的这些特点和优点将会在下面的具体实施方式、附图中详细的揭露。【附图说明】下面结合附图对本专利技术做进一步的说明：图1为本专利技术实施例1的实现存储卡写保护和复位的电路的原理框图。图2为本专利技术实施例1的实现存储卡写保护和复位的电路的原理图。【具体实施方式】下面结合本专利技术实施例的附图对本专利技术实施例的技术方案进行解释和说明，但下述实施例仅为本专利技术的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。实施例1。参看图1，一种实现存储卡写保护和复位的电路，包括具有接收控制信号的三极管开关电路，与三级管开关电路连接的MOS管开关电路，与MOS管开关电路连接的外部电源接口及存储卡电源接口CARD_PWR；当三极管开关电路导通时，MOS管开关电路导通，电源依次经外部电源接口、MOS管开关电路、存储卡电源接口CARD_PWR驱动存储卡；当三极管开关电路关断时，MOS管开关电路关断，存储卡断电；还包括与MOS管开关电路连接且用于指示存储卡供电状态的状态指示电路。参看图2，三极管开关电路包括接收控制信号的第一端、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻、第一三极管；第一端与第一电阻R1的一端连接，第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端连接；第二电阻R2的另一端接地，第三电阻R3的另一端连接第一三极管Q1的基极；第一三极管Q2的发射极接地，第一三极管Q1的集电极与MOS管开关电路连接。MOS管开关电路包括与三极管开关电路中第一三极管Q1集电极连接的第二端、第四电阻R4、第五电阻R5、第一MOS管Q2、第六电阻R6、用于与外部直流电源VCC_BAR连接的外部电源接口；第二端与第四电阻R4的一端连接，第四电阻R4的另一端与第一MOS管Q2的G极、第五电阻R5的一端连接；第五电阻R5另一端与外部电源接口、第一MOS管Q2的D极连接；第一MOS管Q2的S极连接第六电阻R6的一端、存储卡电源接口CARD_PWR；第六电阻R6的另一端接地。状态指示电路包括正极与存储卡电源接口CARD_PWR连接的发光二极管D1及与发光二极管D1负极连接的第七电阻R7，第七电阻R7接地。MOS管开关电路还包括第一电容C1，第一电容C1一端与第五电阻R5另一端连接，第一电容C1另一端与第五电阻R5一端连接。前述存储卡电源接口CARD_PWR连接存储卡。前述第一端与外部处理器连接，用于接收处理器的控制信号CTR_SIG。基于前述电路，具体工作原理如下。当处理器发出的控制信号CTR_SIG为高电平时，第一电阻R1和第二电阻R2之间的分压为高电平。第一三极管Q1基极电压为高电平。第一三极管Q1的发射结电压V_be电压大于门限值V_(be(on))，第一三极管Q1导通。第四电阻R4，第五电阻R5和第一三极管Q1串联分压。第一MOS管Q2的V_gs大于V_(gs(th))，第一MOS管Q2导通，此时，存储卡电源接口CARD_PWR与电源VCC导通，存储卡导通电源。存储卡处于上电状态，即处于可读写状态。此时，可对存储卡的数据线或者地址线进行操作，读取和修改存储卡中的数据。发光二极管D1通电，发出绿光，指示此时存储卡处于可读写状态。当系统需要复位或者存储卡的数据线或者地址线存在不确定性时，需要对存储卡进行写保护，避免存储卡数据受到影响。当处理器发出的控制信号CTR_SIG为低电平时，第一电阻R1和第二电阻R2之间的分压为低电平。第三电阻R3的两端电压保持一致，为低电平，即第一三极管Q1基极电压保持低电平。第一三极管Q1的发射结电压V_be电压小于门限值V_(be(on))，第一三极管Q1不导通，第五电阻R5两端的电压一致。第一MOS管Q2的V_gs小于V_(gs(th))，第一MOS管Q2不导通，此时，存储卡电源接口CARD_PWR上没有电压，存储卡无法导通电源。存储卡处于掉电状态，即处于写保护状态。此时，对存储卡的数据线或者地址线进行操作，无法修改存储卡中的数据。当系统无法识别存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现存储卡写保护和复位的电路，其特征在于，包括具有接收控制信号的三极管开关电路，与所述三级管开关电路连接的MOS管开关电路，与所述MOS管开关电路连接的外部电源接口及存储卡电源接口；当所述三极管开关电路导通时，所述MOS管开关电路导通，电源依次经所述外部电源接口、所述MOS管开关电路、所述存储卡电源接口驱动存储卡；当所述三极管开关电路关断时，所述MOS管开关电路关断，所述存储卡断电。

【技术特征摘要】
1.一种实现存储卡写保护和复位的电路，其特征在于，包括具有接收控制信号的三极管开关电路，与所述三级管开关电路连接的MOS管开关电路，与所述MOS管开关电路连接的外部电源接口及存储卡电源接口；当所述三极管开关电路导通时，所述MOS管开关电路导通，电源依次经所述外部电源接口、所述MOS管开关电路、所述存储卡电源接口驱动存储卡；当所述三极管开关电路关断时，所述MOS管开关电路关断，所述存储卡断电。2.根据权利要求1所述实现存储卡写保护和复位的电路，其特征在于：还包括与所述MOS管开关电路连接且用于指示所述存储卡供电状态的状态指示电路。3.根据权利要求1所述实现存储卡写保护和复位的电路，其特征在于：所述三极管开关电路包括接收所述控制信号的第一端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管；所述第一端与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端、第三电阻的一端连接；所述第二电阻的另一端接地，所述第三电阻的另一端连接第一三极管的基极；所述第一三极管的发射极接地，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，户贯涛，周在福，张杭君，
申请(专利权)人：浙江众合科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33