【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于包括：在已经形成浅隔绝沟道并且沉积了氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻胶；完成对光刻胶的曝光和显影，以暴露出氧化硅薄膜的将要湿法刻蚀的第一氧化硅区域和受到光刻胶保护的第二氧化硅区域；在曝光和显影之后，在执行显影的同一显影机台内，在光刻胶图形上涂布含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液，并且加热使胺类化合物或多胺类化合物与光刻胶表面反应形成高分子交联的保护膜，从而固化光刻胶图形，随后去除多余的含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液；执行湿法刻蚀以部分去除第一氧化硅区域上的氧化硅薄膜；去除剩余光刻胶后可再次沉积氧化硅薄膜，从而在第一氧化硅区域和第二氧化硅区域形成不同厚度的氧化硅薄膜双栅氧。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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