【技术实现步骤摘要】
一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法
本专利技术涉及一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法。
技术介绍
Sb2Te3热电材料薄膜是一种窄带半导体薄膜,具有优异的室温热电性能,长期以来被公认为是最好的热电材料之一,目前大多数热电制冷元件都采用这种材料,在温差电制冷和温差发电方面具有广泛的应用前景。与此同时,Sb2Te3还是一种典型的相变材料,在相变存储器,微纳结构制造领域具有重要的应用。然而在现有的技术中还没有针对Sb2Te3热电材料薄膜的湿法刻蚀方法。因而,开发一种高精度的湿法刻蚀工艺对于Sb2Te3热电材料薄膜应用和产业化具有重要的意义。Sb2Te3薄膜在激光曝光热作用后产生非晶态向晶态的转变,并且在NaOH溶液中,晶态与非晶态具有不同的刻蚀速率,从而可以通过激光直写式曝光热作用的方法在NaOH溶液中进行湿法刻蚀。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀的方法,使用NaOH溶液作为刻蚀液,利用Sb2Te3薄膜在激光曝光热作用后产生非晶态向晶态的转变,晶态与非晶态在NaOH溶液中具有不同的刻蚀速率而达到选择性湿法刻蚀的目的。该方法具有操作简单、成本低廉、刻蚀速率可控、刻蚀精度高等优点,可望用于微纳结构制造,热传感器,热电制冷器件,太阳能电池,相变存储器等领域中的Sb2Te3微纳图形结构加工工艺。为达到上述目的,本专利技术的技术方案如下:一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀的方法,包括以下步骤:(a)在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Sb2Te3热电材料薄膜;(b)利用激光器对所述的Sb2Te3热电材料薄膜进行直写式曝光 ...
【技术保护点】
一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法,其特征在于该方法包括以下步骤:a)在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Sb2Te3热电材料薄膜;b)利用激光器对所述的Sb2Te3热电材料薄膜进行直写式曝光热作用;c)采用刻蚀液对激光曝光热作用后的Sb2Te3热电材料薄膜进行湿法刻蚀,将经过激光热作用的区域腐蚀去除,留下激光未作用的区域。
【技术特征摘要】
1.一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法,其特征在于该方法包括以下步骤:a)在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Sb2Te3热电材料薄膜;b)利用激光器对所述的Sb2Te3热电材料薄膜进行直写式曝光热作用;c)采用刻蚀液对激光曝光热作用后的Sb2Te3热电材料薄膜进行湿法刻蚀,将经过激光热作用的区域腐蚀去除,留下激光未作用的区域。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法,其特征在于所述的步骤c)湿法刻...
【专利技术属性】
技术研发人员:周奇军,魏劲松,魏涛,
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:上海;31
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