二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法技术方案

本发明专利技术公开了一种二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法，所述系统包括两对反亥姆霍兹线圈、石英真空腔、离子泵、带碱金属释放剂的电流馈通、真空阀、六通接头、第一玻璃窗口、第二玻璃窗口以及第一半导体激光器，所述六通接头的六个开口分别与石英真空腔、离子泵、电流馈通、真空阀、第一玻璃窗口和第二玻璃窗口连接；所述两对反亥姆霍兹线圈分别水平对称放置和竖直对称放置。所述方法使二维磁光阱系统通过冷却光获得长条型的冷原子团，再利用自发辐射四波混频，通过泵浦光和耦合光产生斯托克斯光子和反斯托克斯光子，并对光子进行收集。本发明专利技术的二维磁光阱系统制备的窄线宽单光子源线宽为兆赫兹量级，适用于远距离的量子通信。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
二维磁光阱系统，其特征在于：包括两对反亥姆霍兹线圈(1)、石英真空腔(2)、离子泵(3)、带碱金属释放剂的电流馈通(4)、真空阀(5)、六通接头(6)、第一玻璃窗口(7)、第二玻璃窗口(8)以及用于产生六束冷却光(9)的第一半导体激光器，所述六通接头(6)的六个开口分别与石英真空腔(2)、离子泵(3)、电流馈通(4)、真空阀(5)、第一玻璃窗口(7)和第二玻璃窗口(8)连接；所述两对反亥姆霍兹线圈(1)分别水平对称放置和竖直对称放置以罩住石英真空腔(2)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖开宇，何君钰，颜辉，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：