【技术实现步骤摘要】
本技术是一种连续制备二维纳米薄膜的装置,属于制备二维纳米薄膜领域。
技术介绍
目前,化学气相沉积法以及碳偏析法是大面积制备二维纳米薄膜如石墨烯薄膜的技术方法,采用这两种方法制备二维纳米薄膜的设备基本上都是石英管高温炉。基于石英管的高温炉仅具备在已有金属催化层上合成二维纳米薄膜的单一功能,即不能先后连续对衬底材料的表面进行处理,在衬底上制备合成二维纳米薄膜所需的催化层和之后的二维纳米薄膜的合成。并且,采用石英管式炉合成的二维纳米薄膜如石墨烯的电子传输性能与机械剥离法制备的具有完美晶体结构的石墨烯的电子传输相比还相差很大,这种差异,主要来自于合成石墨烯使用的管式炉设备-热场梯度的存在,含碳气源分布不均等导致管式炉不能大面积制备均匀的石墨烯薄膜,已经严重制约了二维纳米薄膜如石墨烯薄膜技术的进一步发展。现有设备不适合大面积制备如石墨烯等均匀的二维纳米薄膜。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本技术目的是提供一种连续制备二维纳米薄膜的装置,以解决现有设备不适合大面积制备如石墨烯等均匀的二维纳米薄膜等问题。为了实现上述目的,本技术是通过如下的技术方案来实现:一种连续制备二维纳米薄膜的装置,其结构包括:脚架、底座、机架、壳体、电气箱、调节面板、平台、气体接口、制备装置、进料口、观察窗、传送装置、真空装置、显示屏、控制面板、出料箱;所述脚架固定连接于底座下,所述底座上固定连接有机架,所述机架外设有壳体,所述底座上设有电气箱,所述底座上设有出料箱,所述电气箱上设有调节面板,所述电气箱上设有显示屏,所述电气箱上设有控制面板,所述机架上设有平台,所述平台上设有制备装置,所述制备装 ...
【技术保护点】
一种连续制备二维纳米薄膜的装置,其特征在于:其结构包括:脚架(1)、底座(2)、机架(3)、壳体(4)、电气箱(5)、调节面板(6)、平台(7)、气体接口(8)、制备装置(9)、进料口(10)、观察窗(11)、传送装置(12)、真空装置(13)、显示屏(14)、控制面板(15)、出料箱(16);所述脚架(1)固定连接于底座(2)下,所述底座(2)上固定连接有机架(3),所述机架(3)外设有壳体(4),所述底座(2)上设有电气箱(5),所述底座(2)上设有出料箱(16),所述电气箱(5)上设有调节面板(6),所述电气箱(5)上设有显示屏(14),所述电气箱(5)上设有控制面板(15),所述机架(3)上设有平台(7),所述平台(7)上设有制备装置(9),所述制备装置(9)上设有气体接口(8),所述制备装置(9)上设有进料口(10),所述制备装置(9)上设有观察窗(11),所述制备装置(9)上设有传送装置(12),所述制备装置(9)上设有真空装置(13),所述制备装置(9)由处理腔室(901)、加热装置(902)、平衡腔室(903)、阀(904)、薄膜制备腔室(905)组成。
【技术特征摘要】
1.一种连续制备二维纳米薄膜的装置,其特征在于:其结构包括:脚架(1)、底座(2)、机架(3)、壳体(4)、电气箱(5)、调节面板(6)、平台(7)、气体接口(8)、制备装置(9)、进料口(10)、观察窗(11)、传送装置(12)、真空装置(13)、显示屏(14)、控制面板(15)、出料箱(16);所述脚架(1)固定连接于底座(2)下,所述底座(2)上固定连接有机架(3),所述机架(3)外设有壳体(4),所述底座(2)上设有电气箱(5),所述底座(2)上设有出料箱(16),所述电气箱(5)上设有调节面板(6),所述电气箱(5)上设有显示屏(14),所述电气箱(5)上设有控制面板(15),所述机架(3)上设有平台(7),所述平台(7)上设有制备装置(9),所述制备装置(9)上设有气体接口(8),所述制备装置(9)上设有进料口(10),所述制备装置(9)上设有观察窗(11),所述制备装置(9)上设有传送装置(12),所述制备装置(9)上设有真空装置(13),所述制备装置(9)由处理腔室(901)、加热装置(902)、平衡腔室(903...
【专利技术属性】
技术研发人员:殷建伟,
申请(专利权)人:广州市纳清环保科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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