The invention discloses a method for preparing Cu2O nano thin film. Preparation of 0.0244~0.1220mol/L containing CuSO4, 0.0006~0.0122mol/L sixteen alkyl three methyl bromide (CTAB), 0.0244~0.0854mol/L H4N2.H2O, 0.0390~0.1951mol/L electrolyte NaOH four solution, in uniform magnetic stirring, to Cu as the anode and Pt as cathode, under the voltage of 5V~20V oxidation for 5~15 minutes, get the value of 0.0985V~0.3035V Cu2O nano film photovoltage on Cu substrate. The invention has the advantages of low requirement for raw materials and instruments, simple process, short cycle, and excellent photoelectric performance of the prepared samples.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。
技术介绍
Cu2O是一种优良的半导体材料，具有廉价、易操作生产、无毒、方便储存等优点。Cu2O的禁带宽度在2.1eV左右，相对较窄的禁带宽度决定了它在可见光区就能够很好的被太阳光激发产生光生载流子。在理论上，Cu2O纳米材料的光电转化效率可以达到20%，具有着良好的光电转换性能，是一种非常有潜力的太阳能电池材料。随着能源问题的日益严峻，Cu2O纳米材料无论是理论研究还是工业生产都受到了越来越多的关注。Cu2O纳米材料除了在光电性能方面有显著优点外，在光催化、传感器、船舶涂料、电极材料等方面同样具备着很高的研究应用价值。自1998年Ikdea等首次提出Cu2O可以将阳光下的水催化分解为氢气和氧气以来，国内外科研工作者在制备纳米Cu2O的不同微观形貌上以及研究纳米Cu2O的不同性能上获得了很多成果。目前，Cu2O纳米材料的主要制备方法有水热法、溶剂热法、磁控溅射法、溶胶-凝胶法、热氧化法等。水热法和溶剂热法需要高温高压环境，这对生产设备要求很高，难以大规模；磁控溅射法虽然可以很好地控制纳米尺寸，但设备非常昂贵；溶胶-凝胶法对反应工艺参数要求很高，容易发生团聚现象；热氧化法所需要的高温条件难以到达，设备的功率稳定性及安全性要求很高。本专利技术采用阳极氧化法制备Cu2O纳米薄膜，其制备工艺简单，工艺参数容易控制，反应条件温和，制备周期非常短，其所测样品光电转换性能良好。该方法所用的反应溶液体系新颖高效尚未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种阳极氧化法制备氧化亚铜纳米薄膜的方法。具体步骤为：配制含0.024...
【技术保护点】
一种Cu2O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵、0.0244~0.0854mol/L H4N2.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值为0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种Cu2O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：配制含0.0244~0.1220mol/LCuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵、0.0244~0.0854mol/LH4N2.H2O...
【专利技术属性】
技术研发人员：高云鹏，钟福新，黎燕，江瑶瑶，莫德清，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西;45
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