【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及CMOS图像传感器领域，尤其涉及一种抑制背照式CMOS图像传感器电学互扰的方法。
技术介绍
CMOS图像传感器属于光电元器件，CMOS图像传感器由于其制造工艺和现有集成电路制造工艺兼容，同时其性能比原有的电荷耦合器件(CXD)图像传感器有很多优点，而逐渐成为图像传感器的主流。CMOS图像传感器可以将驱动电路和像素集成在一起，简化了硬件设计，同时也降低了系统的功耗。CMOS图像传感器由于在采集光信号的同时就可以取出电信号，还能实时处理图像信息，速度比CCD图像传感器快，同时CMOS图像传感器还具有价格便宜，带宽较大，防模糊，访问的灵活性和较大的填充系数的优点而得到了大量的使用，广泛应用于工业自动控制和消费电子等多种产品中，如监视器，视频通讯，玩具等。鉴于CMOS图像传感器的诸多优点，现在CIS的研究和发展是要利用其系统集成的优点来实现多功能和智能化；利用其具有访问灵活的优点，可以通过只读出感光面上感兴趣的小区域来实现高的帧速率CMOS ;同时CMOS图像传感器宽动态范围，高分辨率和低噪声技术也在不断发展。图1为4T有源CMOS图像传感器的示意图，...
【技术保护点】
一种抑制背照式CMOS图像传感器电学互扰的方法，所述背照式CMOS图像传感器包括P型衬底和P型外延层，所述P型外延层覆盖于所述P型衬底的上表面，在P型外延层中定义的有源单元区周围设置有浅隔离沟槽结构，并在有源单元区中形成有光电二极管的重掺杂的N型掺杂区，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、利用掩膜减薄工艺去除所述P型衬底以暴露出所述P型外延层的背面；步骤S2、于所述P型外延的部分背面涂覆一光阻层，所述光阻层与所述光电二极管形成交叠并对准所述光电二极管的N型掺杂区，利用光刻曝光显影工艺对所述光阻层进行处理，于所述P型外延层的背面留下部分图案化的光阻作为阻挡掩膜层；步骤S3、于...
【技术特征摘要】
1.一种抑制背照式CMOS图像传感器电学互扰的方法，所述背照式CMOS图像传感器包括P型衬底和P型外延层，所述P型外延层覆盖于所述P型衬底的上表面，在P型外延层中定义的有源单元区周围设置有浅隔离沟槽结构，并在有源单元区中形成有光电二极管的重掺杂的N型掺杂区，其特征在于，包括以下步骤: 步骤S1、利用掩膜减薄工艺去除所述P型衬底以暴露出所述P型外延层的背面； 步骤S2、于所述P型外延的部分背面涂覆一光阻层，所述光阻层与所述光电二极管形成交叠并对准所述光电二极管的N型掺杂区，利用光刻曝光显影工艺对所述光阻层进行处理，于所述P型外延层的背面留下部分图案化的光阻作为阻挡掩膜层； 步骤S3、于所述P型外延层暴露的背面注入第一离子，并在所述P型外延层内形成一与所述P型外延层背面间隔开的第一离子注入层； 步骤S4、刻蚀所述阻挡掩膜层以完全暴露出所述P型外延层的背面，于所述P型外延层暴露的背面注入第二离子，并在所述P型外延层背面与所述第一离子注入层背面之间形成第二离子注入层； 步骤S5、去除所述P型外延层背面残余的光刻胶并进行退火处理。...
【专利技术属性】
技术研发人员：田志，金秋敏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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