基于复合介质栅结构像素单元的成像阵列及其曝光操作方法技术

本发明专利技术提出了一种基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列及其曝光操作方法，像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器，每个像素单元的源区和漏区是对称的，通过注入形成的P型衬底（1），相邻像素单元之间为N型注入区形成像素共用的漏极（2）或源极（7），若干数目的像素单元通过N型注入区相互串联构成一列，在一列（BL）的两端分别为两个选择开关晶体管，晶体管栅极控制端口漏极方向为SD，源极方向为SS，通过控制选择晶体管的开关来控制每一列信号的传输，用于控制一列的选择开启；其中每一条列中的每一行不同像素通过字线（WL）将栅极（3）连接，一条WL同时控制一行像素的栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及复合介质栅结构像素单元，尤其一种NAND型成像阵列架构，是一种复合介质栅像素单元构成的NAND型阵列架构及器曝光操作方式。
技术介绍
图像传感器在当今社会应用非常广泛，如移动手机、数码相机、各种摄像机以及国防探测领域，当前发展的主要成像探测器是CCD和CMOS-APS两种类型，CCD的基本结构是一列列MOS电容串联，通过电容上面电压脉冲时序控制半导体表面势阱产生和变化，进而实现光生电荷信号的存储和转移读出，CMOS-APS每个像素采用二极管和多个晶体管组成，读取曝光前后的变化情况得到光信号。CMOS-APS由于某些优点近年来受到更大的关注，CXD生产对工艺要求极高，成品率和成本不够理想。目前C⑶与CMOS都力图进一步缩小像素尺寸提高分辨率，CCD因为受到边缘电场等效应使得他像素尺寸的很难进一步缩小。而CMOS-APS每个像素由多个晶体管与一个感光二极管构成，使得每个像素的感光区域只占据像素本身很小的表面积，灵敏度和分辨率相对较小。另外CMOS-APS每个像素包含多个晶体管来完成引址选通等操作，一般的像素单元包含三个晶体管，这决定了他的像素尺寸缩小受到很大的限制。为了获本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列，像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器，其特征是每个像素单元的源区和漏区是对称的，通过注入形成的P型衬底（1），相邻像素单元之间为N型注入区形成像素共用的漏极（2）或源极（7），若干数目的像素单元通过N型注入区相互串联构成一列，在一列（BL）的两端分别为两个选择开关晶体管，晶体管栅极控制端口漏极方向为SD，源极方向为SS，通过控制选择晶体管的开关来控制每一列信号的传输，用于控制一列的选择开启；其中每一条列中的每一行不同像素通过字线（WL）将栅极（3）连接，一条WL同时控制一行像素的栅极。

【技术特征摘要】
1.基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列，像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器，其特征是每个像素单元的源区和漏区是对称的，通过注入形成的P型衬底(I )，相邻像素单元之间为N型注入区形成像素共用的漏极(2)或源极(7)，若干数目的像素单元通过N型注入区相互串联构成一列，在一列(BL)的两端分别为两个选择开关晶体管，晶体管栅极控制端口漏极方向为SD，源极方向为SS，通过控制选择晶体管的开关来控制每一列信号的传输，用于控制一列的选择开启；其中每一条列中的每一行不同像素通过字线(WL)将栅极(3 )连接，一条WL同时控制一行像素的栅极。2.根据权利要求1所述的基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列，其特征是上述行与列的像素构成像素阵列，像素阵列下面为一个共用的通过注入形成的P型衬底(I)。3.根据权利要求1所述的基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列，其特征是其中像...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫锋，夏好广，卜晓峰，吴福伟，马浩文，司向东，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：