固态成像装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种缩小了形成固态成像装置的芯片面积并降低了单个芯片的成本的固态成像装置及其制造方法。所述电子设备通过使用该固态成像装置而实现小型化。本发明专利技术的固态成像装置通过将形成光电转换部PD的第一衬底（80）与形成电荷蓄积电容部（61）以及多个MOS晶体管的第二衬底81贴合而构成。另外，在第一衬底（80）和第二衬底（81）分别形成连接电极（26、27、56、57），第一衬底（80）和第二衬底（81）通过连接电极电连接。由此，能够在更小的面积上形成具有全域快门功能的固态成像装置。

【技术实现步骤摘要】
固态成像装置及其制造方法分案申请说明本申请是2010年03月10日递交给专利局的、题为“固态成像装置及其制造方法、驱动方法、以及电子设备”、申请号为201010135692.2的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及固态成像装置，特别是涉及具有全域快门（globalshutter）功能的CMOS型固态成像装置及其制造方法。另外，本专利技术涉及该固态成像装置的驱动方法以及使用该固态成像装置的电子设备。
技术介绍
近年来，摄像机和电子静态照相机等一般被广泛普及。在上述的相机中使用CCD（ChargeCoupledDevice，电荷耦合器件）型或放大型的固态成像装置。在放大型的固态成像装置中，将通过受光像素的光电转换部生成并蓄积的信号电荷导向设置在像素上的放大部，并从像素输出通过放大部放大的信号。并且，在放大型的固态成像装置中，例如包括在放大部采用贴合型场效应晶体管的固态成像装置以及在放大部采用CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体）晶体管的CMOS型固态成像装置等。以往，在一般的CMOS型固态成像装置中，采用针对每一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像装置的制造方法，包括以下步骤：在第一衬底上形成光电转换部和被形成为从该第一衬底表面露出的连接电极，所述光电转换部用于生成并蓄积对应于入射光的信号电荷，在所述第一衬底或者第二衬底上形成用于蓄积从所述光电转换部传输的信号电荷的电荷蓄积电容部；在所述第二衬底上形成多个MOS晶体管和被形成为从该第二衬底表面露出的连接电极，所述MOS晶体管用于顺序传输所述电荷蓄积电容部所蓄积的信号电荷；以及在所述第二衬底上部的光入射侧贴合所述第一衬底，使得在所述第二衬底表面上露出的所述连接电极和在所述第一衬底表面上露出的所述连接电极电连接。

【技术特征摘要】
2009.03.17 JP 2009-0649561.一种固态成像装置的制造方法，包括以下步骤：在第一衬底上形成光电转换部和被形成为从该第一衬底表面露出的第一连接电极和第二连接电极，所述光电转换部用于生成并蓄积对应于入射光的信号电荷，在所述第一衬底或者第二衬底上形成用于蓄积从所述光电转换部传输的信号电荷的电荷蓄积电容部；在所述第二衬底上形成多个MOS晶体管和被形成为从该第二衬底表面露出的第一连接电极和第二连接电极，所述MOS晶体管用于顺序传输所述电荷蓄积电容部所蓄积的信号电荷；以及在所述第二衬底上部的光入射侧贴合所述第一衬底，使得在所述第二衬底表面上露出的第一连接电极和在所述第一衬底表面上露出的第一连接电极电连接，并且使得在所述第二衬底表面上露出的第二连接电极和在所述第一衬底表面上露出的第二连接电极电连接，其中，通过形成介电体层和夹持所述介电体层形成的两个配线层，来形成所述电荷蓄积电容部；在其中一个配线层中构成电荷保持用电极并且在所述电荷保持用电极上部形成所述介电体层，通过所述电荷保持用电极和经由所述介电体层形成在所述电荷保持用电极上部的在所述第一衬底或者所述第二衬底表面上露出的第一连接电极形成所述电荷蓄积电容部，形成所述介电体层的材料包括TaO、HfO或AlO。2.根据权利要求1所述的固态成像装置的制造方法，其中，通过在形成所述第一衬底的第一连接电极和第二连接电极和所述第二衬底的第一连接电极和第二连接电极之后，形成粘结剂层以使该粘结剂层覆盖所述第一衬底的第一连接电极和第二连接电极和所述第二衬底的第一连接电极和第二连接电极，对所述粘结剂层进行蚀刻，由此使得所述第一衬底的第一连接电极和第二连接电极和所述第二衬底的第一连接电极和第二连接电极在所述第一衬底和所述第二衬底的表面上露出，通过在对在所述第一衬底和所述第二衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥洋，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：