半导体装置及其自动外观检查方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其自动外观检查方法，通过自动外观检查装置适当地获得从半导体装置的端部向元件形成区域方向产生的崩边的大小，能够避免将外观良品判断为外观不良品的问题。该半导体装置具有：树脂层，除了围绕元件形成区域的护圈的多个局部部分以外，其从该元件形成区域延伸并覆盖至所述护圈上；崩边，从半导体装置的芯片端部向所述树脂层的前端部方向延伸。在该半导体装置中，以从所述树脂层局部露出的所述护圈的端部为基准，测量从端部至崩边的前端部的距离y以及至所述树脂层的前端部的距离x，如果y大于x，则判断为外观良品，如果y与x相等或y小于x，则判断为外观不良品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及除去以WLP (WaferLevel chip size Package:晶片级封装)或倒装芯片(FlipChip)型的端部为起点向元件形成区域产生的层间绝缘膜或半导体基板的崩边的自动外观检查方法。
技术介绍
作为被设置于电子设备的半导体装置，为了应用在便携式电话等便携式信息设备，采用满足小型化、薄型化、轻量化条件的被称为CSP且具有与内置的半导体元件相同尺寸的半导体装置。在这些CSP中，特别作为小型的半导体装置，具有晶片级封装或倒装芯片(WLP或FlipChip)型。图5放大表示在使WLP或FlipChip型单个化之前的晶片状态下的划片区域18b及与之相邻的元件形成区域18a的部分。关于该图中的附图标记的详细情况将在后面叙述。在元件形成区域18a，除了未图示的器件元件等外，还以多层形成多个层间绝缘膜4等、金属配线层7等，而在划片区域18b形成构成TEG (Test Element Group:试验元件组)区域15的TEG配线层31等、多个层间绝缘膜4等、未图示的器件元件等。元件形成区域18a的多个层间绝缘膜4等与划片区域18b的多个层间绝缘膜4等连续。但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的自动外观检查方法，该所述半导体装置具有：护圈，其围绕元件形成区域；钝化膜，其从所述元件形成区域的表面延伸并覆盖在所述护圈上且在该护圈的外侧具有端部；钝化膜除去区域，其从所述钝化膜的端部延伸至所述半导体装置的端部；树脂层，其经由所述钝化膜从所述元件形成区域延伸并覆盖在除了所述护圈的与所述半导体装置的各端部并列的一个或多个局部区域以外的所述护圈上且在所述钝化膜除去区域具有前端部；崩边，其使所述钝化膜除去区域从所述半导体装置的端部向所述树脂层的前端部方向延伸；该半导体装置的自动外观检查方法的特征在于，以局部未被所述树脂层覆盖的所述护圈的端部为基准，测量该护圈端部与所述崩边前端部的距离...

【技术特征摘要】
2012.01.27 JP 2012-0153111.一种半导体装置的自动外观检查方法，该所述半导体装置具有: 护圈，其围绕元件形成区域； 钝化膜，其从所述元件形成区域的表面延伸并覆盖在所述护圈上且在该护圈的外侧具有端部； 钝化膜除去区域，其从所述钝化膜的端部延伸至所述半导体装置的端部； 树脂层，其经由所述钝化膜从所述元件形成区域延伸并覆盖在除了所述护圈的与所述半导体装置的各端部并列的一个或多个局部区域以外的所述护圈上且在所述钝化膜除去区域具有前端部； 崩边，其使所述钝化膜除去区域从所述半导体装置的端部向所述树脂层的前端部方向延伸； 该半导体装置的自动外观检查方法的特征在于，以局部未被所述树脂层覆盖的所述护圈的端部为基准，测量该护圈端部与所述崩边前端部的距离y以及该护圈端部与所述树脂层前端部的距离X，如果I大于X，则判断为外观良品，如果I与X相等或I小于X，则判断为外观不良品。2.如权利要求1所述的半导体装置的自动外观检查方法，其特征在于，未被所述树脂层覆盖的所述护圈的局部区域是成为所述半导体装置的对角的一对或两对的角部。3.一种半导体装置的自动外观检查方法，该所述半导体装置具有: 护圈，其围绕元件形 成区域； 钝化膜，其从所述元件形成区域的表面延伸并覆盖在所述护圈上且在该护圈的外侧具有端部； 钝化膜除去区域，其从所述钝化膜的端部延伸至所述半导体装置的端部； 树脂层，其经由所述钝化膜从所述元件形成区域延伸并覆盖在所述护圈上且在所述钝化膜除去区域具有前端部； 崩边，其使所述钝化膜除去区域从所述半导体装置的端部向所述树脂层的前端部方向延伸； 该所述半导体装置的自动外观检查方法的特征在于，以所述半导体装置被单个化之前的半导体晶片的划线位置为基准，测量该划线至所述树脂层前端部的距离X以及该划线至所述崩边前端部的距离1，如...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉见英章，石部真三，黑瀬英司，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：