发光二极管支架及发光二极管封装制造技术

技术编号:8908221 阅读:143 留言:0更新日期:2013-07-12 00:54
本发明专利技术提供一种发光二极管支架及发光二极管封装,发光二极管封装包括一发光二极管支架、一封装体及一发光组件。发光二极管支架在裸露于环境的部分至设置发光组件的部分之间具有多次弯折,以避免环境中水气或有害物质藉由发光二极管支架与封装体之间的间隙进入发光二极管封装内部。于是,发光组件的发光功效得以提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管封装,尤其涉及一种可避免外物进入而影响发光功效的发光二极管封装。
技术介绍
随着半导体发光组件发展,发光二极管已成为一种新兴的光源,其具有省电、反应快及适合量产等优点。然而环境中的水气以及有害物质将会影响发光二极管的发光功效。一般半导体封装用的导线架,具有可做电性连接的金属支架,以及导线架塑料本体。请参阅图1A、1B。图1A、IB显示现有技术的发光二极管封装结构50。发光二极管封装结构50包括一可用作电性连接的金属支架57、一塑料本体53及一发光组件55。发光组件55设置塑料本体53中,并设置于金属支架57上,并利用导线连结于金属支架57 (图1A),或直接电性连结于金属支架57 (图1B)。金属支架57自塑料本体53的两侧延伸而出,以连结外部电路。在上述发光二极管封装结构50中,由于金属支架57与塑料本体53之间难以密合,故一间隙G形成于其间。来自外部的水气及有害物质将透过间隙G沿图1A和图1B所标示的箭头方向直接进入发光组件55所设置的区域,导致发光组件55的发光效能持续降低,不利长期使用。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的一目的在于提供一种可维持发光组件发光效能的发光二极管封装。为达上述目的本专利技术提供一种发光二极管支架包括:一第一支架以及一第二支架。一第一支架包括:一第一支架本体、一第一延伸段、一固晶区以及一第一电极。第一支架本体平行一 Y方向设置。第一延伸段自第一支架本体的中央朝一垂直Y方向的X方向延伸一距离。固晶区位在一第一平面,其一侧与第一延伸段远离第一支架本体的一端邻接。第一电极自第一支架本体朝X方向延伸,其包括一第一电极本体以及一连结第一电极本体和第一支架本体的第一连结件,其中第一电极本体位在一第二平面,其位置与第一平面平行但低于第一平面。第二支架包括:一第二支架本体、一第二延伸段、一导电区及一第二电极。第二支架本体平行Y方向设置。第二延伸段自第二支架本体的中央朝一相反于X方向的方向延伸一距离。导电区位在一第三平面,其一侧与第二延伸段远离第二支架本体的一端邻接,且其另一相反侧相邻第一固晶区。第二电极自第二支架本体朝相反于X方向的方向延伸,其包括一第二电极本体以及一连结第二电极本体和第二支架本体的第二连结件,其中第一电极本体位在一第四平面,其位置与第三平面平行但低于第三平面。在另一实施例中,发光二极管支架包括一第一支架及一第二支架。第一支架包括一固晶区、一第一支架本体、一第一延伸段以及一第一电极。固晶区位在一第一平面。第一支架本体位于一第二平面并平行一 Y方向设置,其中第二平面与第一平面平行但低于第一平面。第一延伸段自第一支架本体的中央朝一垂直Y方向的X方向延伸,并连结第一支架本体于固晶区。第一电极自第一支架本体的端部朝相反于X方向的方向延伸。第二支架包括一导电区、一第二支架本体、一第二延伸段、一第二电极。导电区位在一第三平面。第二支架本体位于一第四平面并平行Y方向设置,其中第四平面与第三平面平行但低于第三平面。第二延伸段自第二支架本体的中央朝一相反于X方向的方向延伸,并连结第二支架本体于导电区。第二电极自第一支架本体的端部朝X方向延伸。在上述较佳实施例中,该第一、第二连结件是自该第一支架本体的端部朝该Y方向及/或相反于该Y方向的方向延伸。在上述较佳实施例中,第一连结件的法线与第一、第二平面的法线间具有一夹角,且第二连结件的法线与第三、第四平面的法线间具有一夹角。在上述较佳实施例中,第一平面与第三平面是共平面,且第二平面与第四平面是共平面。本专利技术还提供一种利用上述较佳实施例的发光二极管支架的发光二极管封装,其包括一封装体用以包覆第一支架与第二支架,并裸露出固晶区与导电区。其中,第一支架及第二支架的至少一部分裸露于封装体的外侧面。在上述较佳实施例中,发光二极管封装还包括一发光组件以及一封装胶。发光组件设置于固晶区上,并电性连结于第一支架与第二支架。封装胶充填于发光组件、固晶区及导电区上。藉由发光二极管支架的结构特征,可有效的防止环境中的水气及有害物质进入发光二极管封装中,以提升发光组件的发光效能。附图说明图1A显示现有技术的发光二极管封装结构的剖视图;图1B显示现有技术的发光二极管封装结构的剖视图;图2显示本专利技术的第一实施例的发光二极管封装的剖视图;图3显示本专利技术的第一实施例的发光二极管支架的示意图;图4显示本专利技术的第一实施例的发光二极管支架的上视图;图5显示本专利技术的第一实施例的发光二极管支架的前视图;图6显示本专利技术的第二实施例的发光二极管封装的上视图;图7显示本专利技术的第三实施例的发光二极管封装的剖视图;图8的另一实施例的发光二极管支架的底视图;与9显示本专利技术的第四实施例的发光二极管封装的上视图;图10显示本专利技术的第四实施例的发光二极管支架的示意图;图11显示本专利技术的第四实施例的发光二极管支架的右侧视图;图12显示本专利技术的第四实施例的发光二极管支架的左侧视图;图13显示本专利技术的第五实施例的发光二极管封装的剖视图;图14显示本专利技术的第六实施例的发光二极管封装的剖视图;图15显示本专利技术的第六实施例的发光二极管支架的示意图;图16显示本专利技术的第六实施例的发光二极管支架的前侧图;以及图17显示本专利技术的第七实施例的发光二极管封装的剖视图。附图标记:1、2、3、4、5、6、7 发光二极管封装;11、21、31、41、51、61、71 封装体;12、32、52、72 发光组件;13 下陷区;14 封装胶;50 发光二极管封装结构;53 塑料本体;55 发光组件;57 金属支架;100、200、300、400、500、600、700 发光二极管支架;110、210、310、410、510、610 第一支架;111、411、611、711 第一支架本体;113、613 第一延伸段;115、315、515、615、715 固晶区;117、617、717 第一电极;117a、317a、417a、517a 第一电极本体;117b > 417b 第一连结件;120、220、320、420、520、620 第二支架;121、421、621、721 第二支架本体;123,623 第二延伸段;125、625 导电区;127、627、727 第二电极;127a、227a、327a、427a、527a 第二电极本体;127b、227b、427b 第二连结件;316、516、716 下陷区;G 间隙;P1 第一平面;P2 第二平面;P3 第三平面;P4 第四平面;Cl1 第一距离;d2 第二距离;nn、n12、n13、n14 法线;H21 > n22、n23、n24、n25、n26 法线;arae 夹角;bfbg 底面。具体实施例方式兹配合附图说明较佳实施例。请参照图2。本专利技术的第一实施例的发光二极管封装I包括一封装体11、一发光组件12、一封装胶14以及一发光二极管支架100。封装体11具有一下陷区13,自其上表面向下陷。请参照图3-5。图3显示本专利技术的第一实施例的发光二极管支架100的示意图,图4、5分别显示本专利技术的第一实施例的发光二极管支架100的上视图以及前视图。发光二极管支架100包括一第一支架110以及一第二支架120。第一支架本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管支架,其特征在于,包括:一第一支架,包括:一第一支架本体,平行一Y方向设置;一第一延伸段,自该第一支架本体之中央朝一垂直该Y方向的X方向延伸一第一距离;一固晶区,位在一第一平面,其一侧与该第一延伸段远离该第一支架本体的一端邻接;以及一第一电极,自该第一支架本体朝该X方向延伸,其包括一第一电极本体以及一连结该第一电极本体和该第一支架本体的第一连结件,其中该第一电极本体位在一第二平面,其位置与该第一平面平行但低于该第一平面;以及一第二支架,包括:一第二支架本体,平行该Y方向设置;一第二延伸段,自该第二支架本体的中央朝一相反于该X方向的方向延伸一第二距离;一导电区,位在一第三平面,其一侧与该第二延伸段远离该第二支架本体的一端邻接,且其另一相反侧相邻该第一固晶区;以及一第二电极,自该第二支架本体朝相反于该X方向的方向延伸,其包括一第二电极本体以及一连结该第二电极本体和该第二支架本体的第二连结件,其中该第一电极本体位在一第四平面,其位置与该第三平面平行但低于该第三平面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:柯博喻
申请(专利权)人:隆达电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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