可挠性基板及其制作方法与电子元件的封装体的制作方法技术

本发明专利技术公开一种可挠性基板的制作方法与环境敏感电子元件的封装体的制作方法。可挠性基板的制作方法包括：提供一承载器。承载器上已形成有一材料层，且材料层具有彼此相对的上表面与下表面以及多个由上表面朝向下表面延伸的凹陷部。形成一离型层于材料层的上表面上，其中离型层与材料层共形。涂布一混合聚合物层于离型层上，其中混合聚合物层中具有多个散射粒子。进行一沉降步骤，以使混合聚合物层中的散射粒子沉降至混合聚合物层的底部，以与离型层直接接触。使混合聚合物层与承载器分离，而形成一具有多个突出部且部分散射粒子暴露于突出部之外的可挠性基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基板及其制作方法以及封装体的制作方法，且特别是涉及一种可挠性基板及其制作方法与环境敏感电子元件的封装体的制作方法。
技术介绍
有机电激发光二极管是一种可将电能转换成光能的半导体元件，其具有高转换效率、自发光、结构超薄、高亮度、高发光效率、高对比、响应时间(response time)短(可到达数微秒之内)、超广视角、低功率消耗、可操作温度范围大，以及面板可挠曲(flexible)等优点，因此经常被应用于许多的电子产品上。为了增加有机电激发光二极管的出光效率，最简易的方式是通过改变承载基板的结构设计来达成。一般来说，承载基板可通过外贴一具有结构性表面的胶层，亦或是，通过光刻蚀刻的方式制作光子晶体或纳米结构来达到所需的光散射的效果。然而，若采用外贴的方式，则承载基板与外贴的胶层之间的黏附力易受到外力而产生脱落，而导致结构可靠度不佳的问题产生。若采用光刻蚀刻的方式，则在制作光子晶体或纳米结构的过程中，所需的制作工艺步骤及制作工艺设备也较多，因而无法降低制作成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可挠性基板的制作方法，以制作出同时具有较佳的结构可靠度及可提高发光元件的光取出效率的可挠性基板。本专利技术的另一目的在于提供一种环境敏感电子元件的封装体的制作方法，以制作出具有较佳光取出效率的环境敏感电子元件的封装体。本专利技术再一目的在于提供一种可挠性基板，其具有较佳的结构可靠度，且于后续产品应用中，可提高发光元件的光取出效率。为达上述目的，本专利技术提出一种可挠性基板的制作方法，其包括下述步骤。提供一承载器。承载器上已形成有一材料层，其中材料层具有彼此相对的一上表面与一下表面以及多个凹陷部，而下表面与承载器接触，且凹陷部由材料层的上表面朝向下表面延伸。形成一离型层于材料层的上表面上，其中离型层与材料层共形。涂布一混合聚合物层(hybridpolymer layer)于离型层上，其中混合聚合物层中具有多个散射粒子。进行一沉降步骤，以使混合聚合物层中的散射粒子沉降至混合聚合物层的底部，以与离型层直接接触。以使混合聚合物层与承载器分离，而形成一具有多个突出部且部分散射粒子暴露于突出部之外的可挠性基板。本专利技术还提出一种环境敏感电子元件的封装体的制作方法，其包括下述步骤。提供一承载器。承载器上已形成有一材料层，其中材料层具有彼此相对的一上表面与一下表面以及多个凹陷部，而下表面与承载器接触，且凹陷部由材料层的上表面朝向下表面延伸。形成一离型层于材料层的上表面上，其中离型层与材料层共形。涂布一混合聚合物层于离型层上，其中混合聚合物层中具有多个散射粒子。进行一沉降步骤，以使混合聚合物层中的散射粒子沉降至混合聚合物层的底部，以与离型层直接接触。形成一环境敏感电子元件于混合聚合物层上。使混合聚合物层及其上的环境敏感电子元件与承载器分离，而形成一具有多个突出部且部分散射粒子暴露于突出部之外的环境敏感电子元件的封装体。本专利技术还提出一种可挠性基板的制作方法，其包括下述步骤。提供一承载器。承载器具有彼此相对的一第一表面与一第二表面以及多个凹陷部，其中凹陷部由第一表面朝向第二表面延伸。形成一离型层于承载器的第一表面上，其中离型层与承载器共形。涂布一混合聚合物层于离型层上，其中混合聚合物层中具有多个散射粒子。进行一沉降步骤，以使混合聚合物层中的散射粒子沉降至混合聚合物层的底部，以与离型层直接接触。使混合聚合物层与承载器分离，而形成一具有多个突出部且部分散射粒子暴露于突出部之外的可挠性基板。本专利技术另提出一种可挠性基板，其包括一基材以及多个散射粒子。基材具有彼此相对的的一第一表面与一第二表面以及多个位于第二表面上的突出部。散射粒子分布于基材中，且位于突出部，其中部分散射粒子暴露于突出部之外，且每一散射粒子的折射率与基材的折射率的差值的绝对值除以每一散射粒子的折射率的比值大于等于25%。基于上述，由于本专利技术是通过沉降步骤使混合聚合物层中的散射粒子沉降至混合聚合物层的底部以与离型层直接接触，因此当进行掀离步骤而使混合聚合物层与离型层分离时，具有突出部且部分散射粒子暴露于突出部之外的可挠性基板即可形成。换言之，本专利技术可制作出同时具有较佳的结构可靠度及可提高发光元件的光取出效率的可挠性基板。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1F为本专利技术的一实施例的一种可挠性基板的制作方法的剖面示意图；图2A至图2B为本专利技术的另一实施例的一种可挠性基板的制作方法的局部步骤的剖面示意图；图3A至图3C为本专利技术的一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的制作方法的局部步骤的剖面示意图；图4A至图4C为本专利技术的另一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的制作方法的局部步骤的剖面示意图；图5为本专利技术的一实施例的一种承载器的剖面示意图。主要元件符号说明10、10a:承载器12a:第一表面14a:第二表面16a、22、32:凹陷部20:材料层21:上表面23:下表面30:离型层100、100a、100b、100b，:可挠性基板110:混合聚合物层111:第一表面112:散射粒子113:第二表面114:突出部120:阻气层122:有机材料层124:无机材料层200、200a、200b、200c:环境敏感电子元件的封装体210:环境敏感电子元件具体实施例方式图1A至图1F为本专利技术的一实施例的一种可挠性基板的制作方法的剖面示意图。请先参考图1A，关于本实施例的可挠曲基板的制造方法，首先，提供一承载器10，其中承载器10上已形成有一材料层20,而材料层20具有彼此相对的一上表面21与一下表面23以及多个凹陷部22，而下表面23与承载器10接触,且凹陷部22由上表面21朝向下表面23延伸。在本实施例中，承载器10的材质例如是一玻璃基板，而材料层20的材质例如是高分子材料，例如是光致抗蚀剂材料。当然，材料层20的材质也可为金属(例如是钛或钥)、金属氧化物(例如是氧化铝)、非金属氧化物(例如是氧化硅、氧化钛)、非金属氮化物(例如是氮化硅)、非金属氮氧化物(例如是氮氧化硅)、陶瓷材料或上述材料所组成的复合材料。需说明的是，本实施例的材料层20可为一连续膜层，而凹陷部22可为各自独立的凹陷部22，或者是，材料层20为一非连续膜层，即材料层20可由多个各自独立的圆柱(未绘示)所组成，而相邻两圆柱之间构成凹陷部22，于此并不加以限制材料层20及凹陷部22的型态。此外，如图1A所示，本实施例的凹陷部22会从上表面21延伸至下表面23且暴露出部分承载器10，但于其他未绘示的实施例中，凹陷部22也可不暴露出承载器10。接着，请参考图1B，形成一离型层30于材料层20的上表面21上，其中离型层30与材料层20共形。意即，离型层30也具有多个凹陷部32。于此，离型层30的材质例如是聚对二甲苯(Poly-para-xylylene, parylene),但并不以此为限。接着，请参考图1C，涂布一混合聚合物层110于离型层30上，其中混合聚合物层110中具有多个散射粒子112。在本实施例中，混合聚合物层110的材质例如是聚亚酰胺(PD。接着，请参考图1D，进行一沉降步骤，例如:重力沉降、离心沉降或静电吸附沉降，以使混合聚合物层110中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可挠性基板的制作方法，包括：提供一承载器，该承载器上已形成有一材料层，其中该材料层具有彼此相对的上表面与下表面以及多个凹陷部，而该下表面与该承载器接触，且该些凹陷部由该材料层的该上表面朝向该下表面延伸；形成一离型层于该材料层的该上表面上，其中该离型层与该材料层共形；涂布一混合聚合物层于该离型层上，其中该混合聚合物层中具有多个散射粒子；进行一沉降步骤，以使该混合聚合物层中的该些散射粒子沉降至该混合聚合物层的底部，以与该离型层直接接触；以及使该混合聚合物层与该承载器分离，而形成一具有多个突出部且部分该些散射粒子暴露于该些突出部之外的可挠性基板。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈光荣，魏小芬，陈良湘，施秉彝，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：