【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种陶瓷电路板结构及功率模块。
技术介绍
1、包含例如氧化铝、氮化硅、氮化铝或氧化铝增韧氧化锆(zirconia toughenedalumina，zta)等陶瓷材料的功率模块目前广泛地应用于车用产业。目前，常用的功率模块包含了绝缘栅双极晶体管(igbt)模块，其中陶瓷材料因具有高导热性、高电绝缘性及低热膨胀等特性而主要作为承载igbt功率元件的散热基板。
2、功率模块的功率密度可被定义为功率模块能输出的最大功率除以功率模块整体的重量或体积(或面积)，随着功率模块逐渐朝着高功率密度发展的趋势，对于重量轻、体积小且元件密集配置的功率模块的需求日益提升。然而，散热问题限制了高功率密度的功率模块的发展，因此，如何提升散热效率并兼顾功率模块的小型化是目前主要面临的课题之一。
3、在陶瓷片上沉积金属层而形成的陶瓷电路板结构作为解决散热问题的一种方案。高功率的功率半导体元件以及闸极驱动器分别设置于不同的陶瓷电路板结构，然而，将功率半导体元件以及闸极驱动器分别配置在不同陶瓷电路板结构的这种构造会占用较大空间而不利于功率模块的小型化设计。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种陶瓷电路板结构及功率模块，可提升散热效率且兼具功率模块的小型化设计。
2、本专利技术一实施例所公开的陶瓷电路板结构包含陶瓷基板、第一导电层、第二导电层以及散热层。陶瓷基板具有相对的第一表面以及第二表面，且第一表面和第二表面皆为连续延伸的单一表面。第一导电层和第二导电层设置于陶瓷
3、本专利技术另一实施例所公开的功率模块包含陶瓷电路板结构、功率半导体元件以及闸极驱动器。陶瓷电路板结构包含陶瓷基板、第一导电层、第二导电层以及散热层。陶瓷基板具有相对的第一表面以及第二表面，且第一表面和第二表面皆为连续延伸的单一表面。第一导电层和第二导电层设置于陶瓷基板的第一表面，且第二导电层与第一导电层相邻配置。第一导电层与第二导电层具有不同的厚度。散热层设置于陶瓷基板的第二表面。功率半导体元件设置于第一导电层，且闸极驱动器设置于第二导电层。散热层包含第一散热部以及第二散热部，第一散热部与第一导电层相对应，第二散热部与第二导电层相对应，且第二散热部具有图案化区域。
4、根据本专利技术公开的陶瓷电路板结构以及功率模块，提供功率半导体元件设置的第一导电层与提供闸极驱动器设置的第二导电层形成于同一块陶瓷基板的表面上。借此有助于功率模块的微型化。此外，在陶瓷基板的相对另一表面上形成有散热层，有助于提升散热效率。散热层包含具有图案化区域的第二散热部。图案化区域的存在使得第二散热部的体积能够与第二导电层的体积相近。借此有助于防止因为第二导电层温度升高而造成陶瓷基板的翘曲。
5、以上关于本
技术实现思路
的说明及以下实施方式的说明用以示范与解释本专利技术的原理，并提供本专利技术的权利要求范围更进一步的解释。
【技术保护点】
1.一种陶瓷电路板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述第一导电层的厚度大于所述第二导电层的厚度。
3.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，还包含连接部，所述连接部设置于所述陶瓷基板的所述第一表面，且所述连接部将所述第一导电层与所述第二导电层电性连接。
4.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述图案化区域为盲孔、沟槽或通孔。
5.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述陶瓷基板与所述第二导电层沿第一方向排列，且所述图案化区域在所述第一方向上对应所述第二导电层。
6.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述第二散热部的体积与所述第二导电层的体积的比值为0.5至2。
7.根据权利要求6所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述第二散热部的体积与所述第二导电层的体积的比值为0.8至1.2。
8.一种功率模块，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，所述陶瓷基板、所述第二导电层与
10.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，所述图案化区域为盲孔、沟槽或通孔。
11.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，所述陶瓷电路板结构还包含连接部，所述连接部设置于所述陶瓷基板的所述第一表面，且所述连接部将所述第一导电层与所述第二导电层电性连接。
12.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，所述第二散热部的体积与所述第二导电层的体积的比值为0.5至2。
13.根据权利要求12所述的功率模块，其特征在于，所述第二散热部的体积与所述第二导电层的体积的比值为0.8至1.2。
...【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电路板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述第一导电层的厚度大于所述第二导电层的厚度。
3.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，还包含连接部，所述连接部设置于所述陶瓷基板的所述第一表面，且所述连接部将所述第一导电层与所述第二导电层电性连接。
4.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述图案化区域为盲孔、沟槽或通孔。
5.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述陶瓷基板与所述第二导电层沿第一方向排列，且所述图案化区域在所述第一方向上对应所述第二导电层。
6.根据权利要求1所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述第二散热部的体积与所述第二导电层的体积的比值为0.5至2。
7.根据权利要求6所述的陶瓷电路板结构，其特征在于，所述第二散热部的体积与...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄悦真，黄萌祺，高端环，周敏杰，陈玠锜，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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