半导体存储器件制造技术

本发明专利技术涉及半导体存储器件。在构成SRAM的第一存取晶体管和第一位线之间设置具有电阻变化层的第一ReRAM，并且在第二存取晶体管和第二位线之间设置具有电阻变化层的第二ReRAM。当SRAM的正常操作时间段结束时在第一存储节点处保持低电势（L=0V）并且在第二存储节点处保持高电势（H=1.5V）时，第一ReRAM单元被设置成导通状态（ON）并且第二ReRAM单元被设置成截止状态（OFF）；因此，SRAM保留的数据被写入ReRAM单元。当SRAM再次返回正常操作时，写入回与存储节点对应的数据并且ReRAM单元都被设置成导通状态（重新设置）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器件，更具体地，涉及当应用到包括SRAM的半导体存储器件时有效的技术。
技术介绍
SRAM (静态随机存取存储器)是一种半导体器件，其通过使用触发器存储数据。例如，在SRAM中，数据(“I”或“O”)被存储在由四个晶体管构成的、两个交叉耦合的CMOS反相器中。因为为了读取和写入存取，额外需要两个晶体管，所以由六个晶体管构成典型SRAM的存储单元。例如，以下引用的专利文献I (PCT国际公开N0.2006-527897的公开日语译文)公开了 一种非易失性静态存储单元，其中，非易失性单元(14、16)交叉耦合到静态存储单元的内部节点(A、B)。两个非易失性单元中的一个非易失性单元(14)具有与B耦合的控制栅极和与A耦合的源极，并且另一个非易失性单元(16)具有与A耦合的控制栅极和与B耦合的源极。以下引用的专利文献2(公开的日本未经审查的专利申请N0.平7(1995)-226088)公开了一种半导体存储器件，其可以实现非易失性特性同时维持静态存储器(SRAM)的高速。这种半导体存储器件具有SRAM存储单元I和非易失性存储单元3。SRAM存储单元I是通过将第一选择晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：（a1）第一晶体管，所述第一晶体管耦合在电源节点和第一节点之间；（a2）第二晶体管，所述第二晶体管耦合在所述第一节点和低电势节点之间；（a3）第三晶体管，所述第三晶体管耦合在所述电源节点和第二节点之间；（a4）第四晶体管，所述第四晶体管耦合在所述第二节点和所述低电势节点之间；（a5）第五晶体管，所述第五晶体管的一端耦合到所述第一节点；（a6）第六晶体管，所述第六晶体管的一端耦合到所述第二节点；（b1）第一电阻变化层，所述第一电阻变化层耦合在所述第五晶体管的另一端和第一位线之间；以及（b2）第二电阻变化层，所述第二电阻变化层耦合在所述第六晶体管的另一端和第二位线之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大和田福夫，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：