温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体存储器件。在构成SRAM的第一存取晶体管和第一位线之间设置具有电阻变化层的第一ReRAM，并且在第二存取晶体管和第二位线之间设置具有电阻变化层的第二ReRAM。当SRAM的正常操作时间段结束时在第一存储节点处保持低电势（L=...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。